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J-GLOBAL ID：201302252420603677   整理番号：13A0160489

Cu,Ag又はAuをドープしたMg₂Siの伝導タイプの第一原理計算を用いたエネルギー的考察

Energetic consideration of the conduction type of Mg₂Si doped with Cu, Ag, or Au using first-principle calculations

著者 (4件)： IMAI Yoji (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol., AIST Tsukuba Central 5, Higashi 1-1, Tsukuba, Ibaraki ...) ,  MORI Yoshihisa (Okayama Univ. of Sci., Ridai-cho 1-1, Kita-ku, Okayama 700-0005, JPN) ,  NAKAMURA Shigeyuki (Tsuyama National Coll. of Technol., Numa 624-1, Tsuyama, Okayama 708-8509, JPN) ,  TAKARABE Ken-ichiro (Okayama Univ. of Sci., Ridai-cho 1-1, Kita-ku, Okayama 700-0005, JPN)
資料名： Journal of Alloys and Compounds  (Journal of Alloys and Compounds)
巻： 549  ページ： 175-178  発行年： 2013年02月05日 
JST資料番号： D0083A  ISSN： 0925-8388  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 熱電エネルギー変換材料として期待されるCu,Ag又はAuをドープしたMg₂Siの電子エネルギー計算を,ドープした元素が,(1)Mg₂Si格子のMg又はSiサイトの置換不純物もしくは(2)その4bサイトへの挿入不純物として作用すると仮定して,密度汎関数理論を用いて行った。エネルギーの観点から,CuはMg₂Siの4bサイトへ最も良く挿入してp型化合物とすることを見いだした。AuはMg₂SiのSiを置換してn型化合物とした。AgはMgとSiをほぼ等しく置換して,侵入型化合物と置換型化合物とし,全体的な伝導タイプはp型を示した。これらの予測は,Ag-およびAu-ドープMg₂Siについては観察事実とよく一致したが,おそらく非ドープMg₂Siのn型キャリアを補償するMg₂SiへのCuへの溶解性が不十分なため,Cu-ドープMg₂Siはそうではなかった。Copyright 2013 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： 計算 ,  *熱電材料 ,  エネルギー変換 ,  侵入型固溶体 ,  置換型固溶体 ,  P型半導体 ,  金属間化合物 ,  計算機シミュレーション ,  エネルギー ,  *ケイ化物 ,  *マグネシウム化合物 ,  ドーピング ,  銅化合物 ,  銀化合物 ,  金化合物 ,  格子定数 ,  侵入型化合物 ,  N型半導体 ,  ドーパント ,  状態密度 ,  結晶構造
準シソーラス用語： *ケイ化マグネシウム ,  第一原理計算 ,  電子エネルギー ,  電子状態密度

分類 (3件)： 電気材料一般  (NA04010A) ,  半導体結晶の電気伝導  (BM03043X) ,  金属酸化物及び金属カルコゲン化物の結晶構造  (BK07020Y)

タイトルに関連する用語 (8件)： Cu ,  Ag ,  Au ,  ドープ ,  伝導 ,  タイプ ,  第一原理計算 ,  エネルギー