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J-GLOBAL ID：201302252716715586   整理番号：13A0486609

リン化インジウムナノワイヤトランジスタにおけるコンタクト金属の影響

Contact metal effects in indium phosphide nanowire transistor

著者 (4件)： HAN Jin-Woo (NASA, California, USA) ,  LOHN Andrew J. (Univ. California at Santa Cruz, California, USA) ,  MEYYAPPAN Meyya (NASA, California, USA) ,  KOBAYASHI Nobuhiko P. (Univ. California at Santa Cruz, California, USA)
資料名： Proceedings of SPIE  (Proceedings of SPIE)
巻： 8467  ページ： 84670Z.1-84670Z.6  発行年： 2012年 
JST資料番号： D0943A  ISSN： 0277-786X  CODEN： PSISDG  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： リン化インジウム(InP)を低圧有機金属化学蒸着法により調製して,単一のナノワイヤ(幅は50nm)を用いて電界効果トランジスタを作製した。ソースおよびドレンのペア電極には4種類の金属(Cr,Ti,AuおよびPt)を用いた。Cr/InPおよびTi/InPは両極性伝導を示したが,Pt/InPおよびAu/InPはp-型伝導を示した。Schottky障壁はコンタクトに使用した金属の仕事関数との直線関係を示さなかった。Pt/InPが最少のSchottky障壁を示し,Cr/InPが最大のSchottky障壁を示した。また,一定のゲートバイアスにおけるドレン電流はAu/InPが最大であった。論文ではこれらの実験データの解釈について議論した。

シソーラス用語： *リン化インジウム ,  *FET【トランジスタ】 ,  *ヘテロ接合 ,  接合形FET ,  *Schottky障壁 ,  *仕事関数 ,  二酸化ケイ素 ,  ゲート【半導体】 ,  ドレン ,  クロム ,  チタン ,  金 ,  白金 ,  ソース【半導体】 ,  *電極
準シソーラス用語： Schottkyゲート電界効果トランジスタ ,  バルクヘテロ接合 ,  金属電極

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  半導体-金属接触  (BM03084G)

タイトルに関連する用語 (3件)： リン化インジウム ,  ナノワイヤトランジスタ ,  コンタクト