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J-GLOBAL ID:201302252783120147   整理番号:13A1181329

0.1M KF溶液中AZ31マグネシウム合金上におけるフッ化物変換膜の定電位電着プロセス

Potentiostatic deposition process of fluoride conversion film on AZ31 magnesium alloy in 0.1M KF solution
著者 (3件):
資料名:
巻: 105  ページ: 554-559  発行年: 2013年08月30日 
JST資料番号: B0535B  ISSN: 0013-4686  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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室温におけるpH7.5の0.1M KF溶液中AZ31Mg合金上,-0.1Vで電着したフッ化物化成膜の被覆プロセスを,その場定電位分極と同時に走査電子顕微鏡(SEM),エネルギー分散型X線分光法(EDS),X線回折(XRD)およびX線光電子分光法(XPS)で研究した。結果は,被覆プロセスは五段階に識別できることを示す。最初の二段階は,電気二重層キャパシタンスの迅速放電とAZ31Mg合金上のFadaic電流密度の遅い増加に起因し,Mg(OH)2はこれらの段階での腐食生成物中に検出された。非晶質MgF2膜の析出に相当する第三のプロセスには,第四プロセスでのMg(OH)2に起因するMgF2保護の失敗が続いた。最終的に,結晶化KMgF3の析出がおこる。SEMおよびXPS深さ断面は,析出被覆は二層から成ることを示唆する。内部層は約300nmの厚さでMg(OH)2とMgF2で構成され,外部層は厚さがおよそ260nmで,Mg(OH)2,MgF2およびKMgF3から成る。Copyright 2013 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.
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分類 (3件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
電極過程  ,  化成処理  ,  界面化学一般 

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