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J-GLOBAL ID:201302253164899306   整理番号:13A0580451

SrGa2S4:Eu蛍光体膜の性質に及ぼすアニーリング雰囲気と電子ビーム予備照射の効果

Effect of annealing atmosphere and electron beam pre-irradiation on the properties of SrGa2S4:Eu phosphor films
著者 (10件):
資料名:
巻: 35  号:ページ: 1109-1111  発行年: 2013年03月 
JST資料番号: W0468A  ISSN: 0925-3467  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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二電子ビーム(EB)蒸発による石英ガラス基板上の約1μm厚のSrS:Ga2S3:Eu膜の堆積,続く900keV加速電子による照射,及びその後の硫黄蒸気またはH2S(10%):Ar(90%)混合体内の900°Cでのアニーリングにより,ユウロピウム活性化チオガリウム酸ストロンチウム(SrGa2S4:Eu)蛍光体膜を作製した。蒸気化硫黄中のアニーリングは,H2S:Ar混合体中のアニーリングに比べて,得られた蛍光体膜の著しく高い結晶度とPL強度を提供した。予備照射は,結晶化中心の形成により,続いてアニールした蛍光体の結晶度と光ルミネセンス(PL)強度を更に増大させることが分かった。Copyright 2013 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.
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分類 (2件):
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その他の無機化合物の薄膜  ,  無機化合物のルミネセンス 

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