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J-GLOBAL ID：201302253400686521   整理番号：13A0752752

結合したドット-井戸ナノ構造における励起子動力学に対する共鳴トンネリングの効果

Effect of resonant tunneling on exciton dynamics in coupled dot-well nanostructures

著者 (8件)： GUZUN D. (Inst. for Nanoscience and Engineering, Univ. of Arkansas, 731 West Dickson St., Fayetteville, Arkansas 72701, USA) ,  MAZUR Yu. I. (Inst. for Nanoscience and Engineering, Univ. of Arkansas, 731 West Dickson St., Fayetteville, Arkansas 72701, USA) ,  DOROGAN V. G. (Inst. for Nanoscience and Engineering, Univ. of Arkansas, 731 West Dickson St., Fayetteville, Arkansas 72701, USA) ,  WARE M. E. (Inst. for Nanoscience and Engineering, Univ. of Arkansas, 731 West Dickson St., Fayetteville, Arkansas 72701, USA) ,  MAREGA E. (Inst. for Nanoscience and Engineering, Univ. of Arkansas, 731 West Dickson St., Fayetteville, Arkansas 72701, USA) ,  TARASOV G. G. (Inst. of Semiconductor Physics, National Acad. of Sciences, pr. Nauki 45, Kiev-03028, UKR) ,  LIENAU C. (Inst. of Physics, Carl von Ossietzky Univ., 26129 Oldenburg, DEU) ,  SALAMO G. J. (Inst. for Nanoscience and Engineering, Univ. of Arkansas, 731 West Dickson St., Fayetteville, Arkansas 72701, USA)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 113  号： 15  ページ： 154304-154304-5  発行年： 2013年04月21日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： ヒ化インジウム ,  *量子ドット ,  ヒ化ガリウムインジウム ,  量子井戸 ,  *励起子 ,  電子構造 ,  *共鳴トンネル効果 ,  ポンププローブ法 ,  反射スペクトル ,  光ルミネセンス ,  減衰時間 ,  温度依存性 ,  システム ,  ヘテロ接合 ,  化合物半導体 ,  半導体薄膜
準シソーラス用語： 結合系

分類 (2件)： 励起子  (BM02120E) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (6件)： ドット ,  井戸 ,  ナノ構造 ,  励起子 ,  動力学 ,  共鳴トンネリング