抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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<11<span style=text-decoration:overline>2</span>0>方向に3.6°,<10<span style=text-decoration:overline>1</span>0>方向に4°不整配向した微斜面C面SiC基板上に有機金属化学気相堆積によって成長したN極性GaN膜の六角形ヒロック形成と結晶化度に及ぼすAlN緩衝層の効果を調査した。ミスカット方向<11<span style=text-decoration:overline>2</span>0>を有する基板上へのAlN緩衝層の成長において,ソース注入のV/III族の比が650から16310まで増加し,成長温度が1100°Cから1150°Cまで上昇すると,AlN緩衝層とそれに続くN極性GaN膜の貫通転位(TD)密度は減少した。<10<span style=text-decoration:overline>1</span>0>方向に不整配向した基板上に成長したAlNとGaN膜のTD密度は,<11<span style=text-decoration:overline>2</span>0>方向にミスカットした基板上に成長したものと比較して高かった。N極性GaN膜の六角形ヒロック密度は,AlNのV/III比を最大16310まで増加させ,かつ,AlNの厚さを90から30nmまで減少させると減少した。このことは,反転分域の核生成がAlN緩衝層の成長時に発生することを示すものであった。厚さ30nmのAlNの成長温度が,V/III比16310で,1100°Cから1150°Cまで増加すると,両方の基板上に成長したN極性GaN膜中の六角形ヒロックを完全に抑制した。Copyright 2013 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.
