文献

J-GLOBAL ID：201302253637110160   整理番号：13A1562589

シリコンオンインシュレータにおける集積光学10次マイクロリングフィルタ

Integrated-optic tenth-order micro-ring filters in silicon-on-insulator

著者 (6件)： YAN Shu-Bin (North Univ. China, Shanxi, CHN) ,  WANG Xiao-Qian (North Univ. China, Shanxi, CHN) ,  MA Ke-Zhen (North Univ. China, Shanxi, CHN) ,  ZHANG An-Fu (North Univ. China, Shanxi, CHN) ,  XUE Chen-Yang (North Univ. China, Shanxi, CHN) ,  ZHANG Wen-Dong (North Univ. China, Shanxi, CHN)
資料名： Key Engineering Materials  (Key Engineering Materials)
巻： 562/565 Pt.3  ページ： 991-995  発行年： 2013年 
JST資料番号： D0744C  ISSN： 1013-9826  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： スイス (CHE)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： SOI配位では,コア(ケイ素)とボトムクラッド材料(二酸化ケイ素)の間の高屈折率コントラストが,シリコン基板中への光漏れを非常に少なくして,コア中のサブ波長光の閉じ込めを可能にするので,SOIは,非常に鋭い屈曲の高度集積フォトニック素子に適している。ここでは,平均半径4.5μmの超小型,高集積10次SOIマイクロリングフィルタを実証する。マイクロリングフィルタ共振器は半径5μmの小径及び導波路の幅450nm,カプリング領域のギャップは100nmであり,1.55μmコミュニケーションバンドで,非常に大きな自由スペクトル範囲~18nmである。フォトニック素子は最上部ケイ素の厚さ220nm及び埋め込み酸化物厚さ3μmでSOIウェハ中に製作される。この素子は電子ビームリソグラフィーでパターン化される。

シソーラス用語： *SOI構造 ,  プリント基板 ,  屈折率 ,  *帯域フィルタ ,  *リング共振器 ,  透過率 ,  光透過 ,  スペクトル
準シソーラス用語： マイクロリング共振器 ,  共振器フィルタ ,  光透過率 ,  透過スペクトル

分類 (3件)： 光デバイス一般  (BD06010L) ,  共振器  (NC04050Y) ,  集積回路一般  (NC03161C)

タイトルに関連する用語 (2件)： シリコンオンインシュレータ ,  集積光学