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J-GLOBAL ID：201302254401717249   整理番号：13A0503401

小規模ひずみSi/SiGe PMOSFETの閾電圧とI-V特性の研究

Study of Threshold Voltage and I-V Characteristic for Small-Scaled Strained Si/SiGe PMOSFET

著者 (5件)： Qu Jiangtao (School of Microelectronics, Xidian Univ., Xi’an) ,  Zhang Heming (School of Microelectronics, Xidian Univ., Xi’an) ,  Hu Huiyong (School of Microelectronics, Xidian Univ., Xi’an) ,  Xu Xiaobo (School of Microelectronics, Xidian Univ., Xi’an) ,  Wang Xiaoyan (School of Microelectronics, Xidian Univ., Xi’an)
資料名： Dianzi Keji Daxue Xuebao  (Dianzi Keji Daxue Xuebao)
巻： 41  号： 2  ページ： 311-316  発行年： 2012年 
JST資料番号： W1475A  ISSN： 1001-0548  CODEN： DKDAEM  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： 本論文では,多結晶SiGeゲートつきのSi/SiGe PMOSFETの構造に対するPoisson方程式の解明に基づき,その閾電圧モデルとI~V電気特性モデルを提案した。MOSデバイスのスケーリングによって誘発される二次効果,例えば,ドレン誘起低下障壁効果(DIBL),ショートチャネル効果(SCE),および速度オーバシュート効果も考慮に入れた。MATLABでモデルをシミュレーションすることによって,閾値電圧と,P+ポリSiGeゲートのGe容量,ゲート長,酸化物厚み,緩和SiGe仮想基板の中のGe容量,ドーピング濃度,およびドレインバイアスのような関連パラメータとの関係性を獲得した。I~V特性の結果は,ひずみSiをそのチャネルとするMOSデバイスが相対的に高い出力特性を有することを示した。最後に,著者らのモデルの有効性の証拠を,分析的結果と2-DデバイスシミュレータISEからのシミュレーションデータとの比較から引き出した。提案したモデルは,小規模Si/SiGe PMOSFETの合理的分析と設計に容易に使用することもできる。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST

シソーラス用語： ケイ素 ,  半導体材料 ,  *MOSFET ,  電圧 ,  多結晶 ,  シミュレーション ,  電気特性
準シソーラス用語： Si ,  SiGe ,  *pMOSFET ,  閾電圧

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (7件)： ひずみ ,  Si ,  SiGe ,  pMOSFET ,  閾電圧 ,  I-V特性 ,  研究