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J-GLOBAL ID：201302254430165654   整理番号：13A1470562

pMOSFETにおけるNBTIインターフェーストラップのカップリングの数値シミュレーション

Numerical Simulation of the Coupling of NBTI Interface Traps in pMOSFETs

著者 (4件)： Cao Jianmin (Coll. of Electronic Sci. and Technol., Shenzhen Univ., Guangdong, Shenzhen) ,  He Wei (Coll. of Electronic Sci. and Technol., Shenzhen Univ., Guangdong, Shenzhen) ,  Zhang Xulin (Coll. of Electronic Sci. and Technol., Shenzhen Univ., Guangdong, Shenzhen) ,  Huang Siwen (Coll. of Electronic Sci. and Technol., Shenzhen Univ., Guangdong, Shenzhen)
資料名： Guti Dianzixue Yanjiu yu Jinzhan  (Guti Dianzixue Yanjiu yu Jinzhan)
巻： 32  号： 6  ページ： 536-541  発行年： 2012年 
JST資料番号： C2084A  ISSN： 1000-3819  CODEN： GDYJE2  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： どのような仮定も無しに,チャネルホール濃度とゲート酸化膜層電界を,pMOSFETの2Dシミュレーションから得て,使用し,負バイアス温度不安定性(NBTI)のインターフェース電荷発生を計算する。これは,NBTI信頼性を研究する効果的方法である。最初に,ゲート酸化膜/シリコンインターフェースカップリングを,シミュレートし,既存の実験データと比較する。解析結果は,NBTIのインターフェース電荷が発生する時に,ゲート酸化膜層電界が増加することを示していて,しかし,ゲート酸化膜層電界は,インターフェース電荷が連続的に増加しないようにし,インターフェース電荷は,チャンネルホール濃度が(インターフェースカップリングを)減少するので,減少する。インターフェース電荷が,10(12)/cm(2)以上発生すると,インターフェースカップリングは,非常に明白であり,測定することができた。NBTIの劣化を減少するインターフェースカップリング効果は,一種の新しい劣化飽和機構であり,”ハードな飽和”と類似であるが,しかし,強い時間冪指標の変化は現れない。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST

シソーラス用語： *シミュレーション ,  チャネルインタフェイス ,  MOSFET ,  紐 ,  計算機システム ,  カップリング効果 ,  酸化膜 ,  キャリア密度 ,  測定データ
準シソーラス用語： *数値シミュレーション ,  Iインタフェイス ,  pMOSFET ,  NBTI ,  ストラップ ,  負バイアス温度不安定性 ,  ゲート酸化膜 ,  ホール濃度 ,  実験データ

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： pMOSFET ,  NBTI ,  インターフェース ,  トラップ ,  カップリング ,  数値シミュレーション