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J-GLOBAL ID：201302254470440003   整理番号：13A0343902

新しいBiS₂系超伝導体PrO_0.5F_0.5BiS₂の合成と超伝導

Synthesis and Superconductivity of New BiS₂ Based Superconductor PrO_0.5F_0.5BiS₂

著者 (4件)： JHA Rajveer (National Physical Lab. (CSIR), Quantum Phenomena and Applications Div., Dr. K.S. Krishnan Marg, 110012, New Delhi, IND) ,  KUMAR Anuj (National Physical Lab. (CSIR), Quantum Phenomena and Applications Div., Dr. K.S. Krishnan Marg, 110012, New Delhi, IND) ,  KUMAR SINGH Shiva (National Physical Lab. (CSIR), Quantum Phenomena and Applications Div., Dr. K.S. Krishnan Marg, 110012, New Delhi, IND) ,  AWANA V. P. S. (National Physical Lab. (CSIR), Quantum Phenomena and Applications Div., Dr. K.S. Krishnan Marg, 110012, New Delhi, IND)
資料名： Journal of Superconductivity and Novel Magnetism  (Journal of Superconductivity and Novel Magnetism)
巻： 26  号： 3  ページ： 499-502  発行年： 2013年03月 
JST資料番号： W0180A  ISSN： 1557-1939  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： PrO_0.5F_0.5BiS₂の合成と3.7Kにおける超伝導を報告する。新たに発見した材料は層状硫化物に基づくREO_0.5F_0.5BiS₂化合物で,ZrCuSiAs型構造を有する。バルク多結晶化合物を780°Cにおける真空カプセル化法で合成した。バルク超伝導を4K以下で観測した。超伝導転移温度(T_c)は3.7Kで開始し,T_c(ρ=0)は3.1Kであった。超伝導転移に関係するT_cの隆起は熱容量測定では観測されず,約6K以上でSchottky型の異常が観測された。化合物は標準状態で僅かに超伝導であった。等温磁化は典型的なタイプIIの挙動を示し,下部臨界磁場は約8Oeであった。Copyright 2013 Springer Science+Business Media New York Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： ビスマス化合物 ,  硫化物 ,  プラセオジム化合物 ,  酸化物 ,  フッ素化合物 ,  超伝導 ,  *超伝導体 ,  転移温度 ,  相転移 ,  *磁化 ,  *エレクトロトランスポート ,  超伝導転移 ,  超伝導転移温度 ,  硫化ビスマス

分類 (1件)： その他の超伝導体の物性  (BM04025Q)

タイトルに関連する用語 (2件)： 超伝導体 ,  伝導