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J-GLOBAL ID：201302254553676670   整理番号：13A1924093

薄膜トランジスタのためのカーボンナノチューブ:製造,特性,および応用

Carbon Nanotubes for Thin Film Transistor: Fabrication, Properties, and Application

著者 (3件)： WU Yucui (Peking Univ., Shenzhen, CHN) ,  LIN Xinnan (Peking Univ., Shenzhen, CHN) ,  ZHANG Min (Peking Univ., Shenzhen, CHN)
資料名： Journal of Nanomaterials (Web)  (Journal of Nanomaterials (Web))
巻： 2013  号： 4  ページ： ARTICLE ID 627215,1-16  発行年： 2013年 
JST資料番号： U7011A  ISSN： 1687-4110  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 文献レビュー  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 端ン層カーボンナノチューブ(SWCNT)の生成と高純度化技術に関する現状と将来展望を述べるとともに,単層カーボンナノチューブ薄膜トランジスタ(SWCNT-TFT)の製造と特性の現状を述べた。最もポピュラーなSWCNT成長方法は化学蒸着(CVD)法であり,これにはプラズマ促進化学蒸着(PECVD),フローティング触媒CVD(FCCVD),そして加熱CVDなどの技術が含まれる。薄膜トランジスタ製造に使われるカーボンナノチューブ(CNT)は絶縁破壊,密度勾配超遠心分離あるいはゲル-ベース分離により選別される。SWCNT-TFTのチャネルとして動作するCNTランダムネットワーク用途に関する報告書についても展望している。全世界の基礎研究者からの優れた研究報告をベンチマークにして分析調査を実施した。SWCNT-TFTに特有な属性を展望した。さらに,SWCNT-TFTに約束されている数々の応用についても調査した。最後に,将来に残されている解決すべき課題につき要約して指摘した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *薄膜トランジスタ ,  *カーボンナノチューブ ,  単層カーボンナノチューブ ,  結晶成長 ,  *薄膜成長 ,  半導体プロセス ,  技術展望

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (3件)： 薄膜トランジスタ ,  カーボンナノチューブ ,  応用