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J-GLOBAL ID：201302255244065077   整理番号：13A1038059

電荷変調分光による有機半導体・絶縁体界面に注入された正孔の非局在化の観察

著者 (12件)： 宮田潔志 ,  田中駿介 ,  杉本敏樹 ,  渡邊一也 ,  三輪一元 ,  植村隆文 ,  KANG Myeong Jin ,  瀧宮和男 ,  桑原博一 ,  濱田雅裕 ,  竹谷純一 ,  松本吉泰
資料名： 日本化学会講演予稿集  (日本化学会春季年会講演予稿集)
巻： 93rd  号： 2  ページ： 504  発行年： 2013年03月08日 
JST資料番号： S0493A  ISSN： 0285-7626  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： ジナフトチエノチオフェン(DNTT)薄膜を用いた薄膜トランジスタ(TFT)は高い移動度を示すことで注目を集めている。また,DNTTは両端にアルキル基を導入することでTFTの移動度が変わる。これらのTFTについて電荷変調分光により正孔の吸収スペクトルを比較したところ,移動度と振動構造の間に強い相関があることを見出した。これは正孔の非局在化による効果と考えられる。(著者抄録)

シソーラス用語： *変調分光法 ,  有機半導体 ,  絶縁材料 ,  *正孔 ,  状態 ,  有機材料 ,  *薄膜トランジスタ ,  振動スペクトル ,  FET【トランジスタ】 ,  *キャリア移動度 ,  電子吸収スペクトル ,  鏡面反射 ,  電圧 ,  反射率 ,  スペクトルシミュレーション ,  吸収スペクトル ,  絶縁体
準シソーラス用語： ゲート電圧 ,  振動構造 ,  *正孔移動度 ,  *電荷変調分光法 ,  非局在化 ,  有機FET ,  有機薄膜

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

物質索引 (4件)： ジナフトチエノチオフェン ,  11,23-ジオクチル-4,16-ジチアヘキサシクロ[18.4.0.0^3,18.0^5,17.0^6,15.0^8,13]テトラコサン-1,3(18),5(17),6(15),7,9,11,13,19,21,23-ウンデカエン ,  11,23-ジデシル-4,16-ジチアヘキサシクロ[18.4.0.0^3,18.0^5,17.0^6,15.0^8,13]テトラコサン-1,3(18),5(17),6(15),7,9,11,13,19,21,23-ウンデカエン ,  11,23-ジドデシル-4,16-ジチアヘキサシクロ[18.4.0.0^3,18.0^5,17.0^6,15.0^8,13]テトラコサン-1,3(18),5(17),6(15),7,9,11,13,19,21,23-ウンデカエン

タイトルに関連する用語 (10件)： 電荷 ,  変調 ,  分光 ,  有機半導体 ,  絶縁体 ,  界面 ,  注入 ,  正孔 ,  非局在化 ,  観察