文献

J-GLOBAL ID：201302255566756334   整理番号：13A0035998

鉄超薄膜を使って低エネルギーイオンビーム照射を通してシリコン上にナノ構造の形成中の実時間X線研究

Real time x-ray studies during nanostructure formation on silicon via low energy ion beam irradiation using ultrathin iron films

著者 (8件)： EL-ATWANI Osman (School of Materials Engineering, Purdue Univ., West Lafayette, Indiana 47907, USA) ,  SUSLOVA Anastassiya (School of Nuclear Engineering, Purdue Univ., West Lafayette, Indiana, 47907, USA) ,  DEMASI Alexander (Physics Dep., Boston Univ., Boston, Massachusetts 02215, USA) ,  GONDERMAN Sean (School of Nuclear Engineering, Purdue Univ., West Lafayette, Indiana, 47907, USA) ,  FOWLER Justin (School of Nuclear Engineering, Purdue Univ., West Lafayette, Indiana, 47907, USA) ,  EL-ATWANI Mohamad (School of Nuclear Engineering, Purdue Univ., West Lafayette, Indiana, 47907, USA) ,  LUDWIG Karl (Physics Dep., Boston Univ., Boston, Massachusetts 02215, USA) ,  PAUL ALLAIN Jean (School of Materials Engineering, Purdue Univ., West Lafayette, Indiana 47907, USA)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 101  号： 26  ページ： 263104-263104-4  発行年： 2012年12月24日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 実時間のすれすれ入射小角X線散乱とX線蛍光(XRF)を用いて,極めて薄い鉄被覆シリコン基板の低エネルギーイオンビーム照射中,シリコン基板上のナノドット形成を解明した。4つの表面変性段階を見いだした。1)膜の浸食が原因となった表面ラフニング,2)表面平滑化とシリコン-鉄混合,3)構造形成,そして4)構造平滑化。これら結果から,50nm深さにある2.5×10¹⁵個の鉄原子が25nmの相関ナノドット距離の表面ナノパターニングを引き起こすと結論した。さらに,XRFとその場外X線光電子分光法(XPS)により確かめたように試料からすべての鉄原子が除去された後でも,表面に相関したナノ構造が存在する幅広い時間ウィンドウが存在する。また,その場XPSの結果はシリサイド形成を示す。この形成は構造形成機構で一定の役割を果たす。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *鉄 ,  超薄膜 ,  ケイ素 ,  イオン照射 ,  ナノ構造 ,  表面改質 ,  表面粗さ ,  相互拡散 ,  パターン形成 ,  X線光電子スペクトル ,  ケイ化物 ,  構造形成 ,  *イオンビームスパッタリング ,  小角X線散乱 ,  蛍光X線分析
準シソーラス用語： *ナノドット ,  表面変性 ,  *ナノパターニング ,  斜入射小角X線散乱 ,  X線蛍光分析

分類 (2件)： 金属薄膜  (BK14030T) ,  半導体の表面構造  (BK15030A)

タイトルに関連する用語 (9件)： 鉄 ,  超薄膜 ,  低エネルギー ,  イオンビーム照射 ,  シリコン ,  ナノ構造 ,  実時間 ,  X線 ,  研究