文献
J-GLOBAL ID:201302256129195125   整理番号:13A1485955

窒化アルミニウム上のダイヤモンド結晶の核生成と化学蒸着成長: 表面末端と極性の役割

Nucleation and Chemical Vapor Deposition Growth of Polycrystalline Diamond on Aluminum Nitride: Role of Surface Termination and Polarity
著者 (8件):
資料名:
巻: 13  号:ページ: 3490-3497  発行年: 2013年08月 
JST資料番号: W1323A  ISSN: 1528-7483  CODEN: CGDEFU  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
抄録/ポイント:
抄録/ポイント
文献の概要を数百字程度の日本語でまとめたものです。
部分表示の続きは、JDreamⅢ(有料)でご覧頂けます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
核生成密度,粒子サイズ,および表面配向を前レベルで制御して,AlN上にダイヤモンド結晶を成長させる方法を研究した。走査型電子顕微鏡(SEM),ラマン分光法,X線回折(XRD),高分解能透過型電子顕微鏡(HRTEM),および電子エネルギー損失分光法(EELS)によって,このダイヤモンド結晶と異なる極性,半極性,および非極性AlN表面間の界面形成を研究した結果,ダイヤモンド(111)/AlN(0001)界面間の関係が熱力学的に最も安定であることがわかった。非極性と半極性のAlN面はダイヤモンドの化学蒸着における水素プラズマ処理に対して強い耐性を示し,高品質のダイヤモンド/AlNヘテロ界面結晶になった。これらの結果から,非極性と半極性のAlN面は高品質のダイヤモンド/AlNヘテロ界面結晶の成長に適していることがわかった。
シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。

準シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。

分類 (2件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
固-固界面  ,  半導体薄膜 

前のページに戻る