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J-GLOBAL ID：201302256411931853   整理番号：13A0251697

分子線エピタキシー法によるフッ化物上の黒鉛状炭素成長

Graphitic carbon grown on fluorides by molecular beam epitaxy

著者 (4件)： JERNG Sahng-Kyoon (Res. Inst. Sejong Univ., Dep. of Physics and Graphene, 143-747, Seoul, KOR) ,  LEE Jae Hong (Res. Inst. Sejong Univ., Dep. of Physics and Graphene, 143-747, Seoul, KOR) ,  KIM Yong Seung (Res. Inst. Sejong Univ., Dep. of Physics and Graphene, 143-747, Seoul, KOR) ,  CHUN Seung-Hyun (Res. Inst. Sejong Univ., Dep. of Physics and Graphene, 143-747, Seoul, KOR)
資料名： Nanoscale Research Letters (Web)  (Nanoscale Research Letters (Web))
巻： 8  号： 1  ページ： 1-4  発行年： 2013年12月 
JST資料番号： U7001A  ISSN： 1931-7573  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,フッ化物基板(MgF₂,CaF₂およびBaF₂)上において分子線エピタキシーにより供給される炭素分子の成長メカニズムについて研究した。全ての炭素層は,カチオンの違いにより異なる結晶度を持つ黒鉛状炭素を形成した。特に,MgF₂上での成長では,ナノクリスタルグラファイト(NCG)が形成された。このカチオン依存性は新知見であり,他の一連の基板を用いたさらなる系統的な研究が必要である。同じ成長温度において,MgF₂上のNCGは酸化物上のものに比べて大きなクラスターを形成した。炭素-フッ素結合の結合強度は炭素-酸素結合より大きいため,この結果は一般的な予想に反している。本研究の結果は,黒鉛状炭素の成長が,単純に炭素と基板中のアニオンとの化学結合に依存するものではないことを示している。Copyright 2013 Jerng et al.; licensee Springer. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *MBE成長 ,  黒鉛化 ,  *炭素材 ,  基板 ,  *フッ化マグネシウム ,  フッ化カルシウム ,  フッ化バリウム ,  結晶度 ,  金属イオン ,  カチオン ,  温度 ,  ナノ結晶 ,  *クラスタ形成 ,  強度 ,  化学結合 ,  薄膜成長 ,  結合エネルギー ,  X線光電子スペクトル ,  Ramanスペクトル ,  顕微鏡観察 ,  グラフェン
準シソーラス用語： 分子ビームエピタキシャル成長 ,  成長温度 ,  結合強度 ,  C-F結合 ,  原子間力顕微鏡観察

分類 (3件)： 炭素とその化合物  (YB02060D) ,  半導体の結晶成長  (BK13040X) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (5件)： 分子線エピタキシー法 ,  フッ化物 ,  黒鉛 ,  炭素 ,  成長