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J-GLOBAL ID：201302256439339887   整理番号：13A0758376

中赤外デザイナ金属

Mid-infrared designer metals

著者 (4件)： LAW S. (Univ. Illinois Urbana Champaign, IL, USA) ,  ADAMS D. C. (Univ. Massachusetts Lowell, MA, USA) ,  TAYLOR A. M. (Univ. Illinois Urbana Champaign, IL, USA) ,  WASSERMAN D. (Univ. Illinois Urbana Champaign, IL, USA)
資料名： Annual Meeting of the IEEE Photonics Society  (Annual Meeting of the IEEE Photonics Society)
巻： 2012  ページ： 786-787  発行年： 2012年 
JST資料番号： T0931A  ISSN： 1092-8081  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 最も幅広く研究されているプラズモニック金属材料は,金と銀である。可視光,あるいは近赤外光域におけるプラズモニック材料,あるいは金属材料構造の構成材料として,金あるいは銀の利用によって,負の屈折率,電磁遮蔽,サブ回折導波路,センサ感度の増強のような多くの新奇な現象が見い出されている。しかし,これらの現象を検出器や防衛における非常に重要な中赤外域まで拡張するためには,単に幾何学的スケーリングだけでなく様々な変更を要する。これは,長波長域における金や銀の誘電率の実部が非常に大きく,またこれらの金属は完全な導体として働くので,プラズモニックおよびメタマテリアル構造に関して可成り異なる近接場特性を示す。しかし,新奇に開発されたプラズモニック材料の長波長域における誘電率が,金や銀の可視光,あるいは近赤外域と同じ場合には,スケーリングが可能になる。本稿では,中赤外波長域におけるプラズモニックデザイナ金属として,エピタキシャル成長させた高度にドープされた半導体の有用性を実証する。シリコンを,2.7×10¹⁸~7.5×10¹⁹cm^-3程度ドープされたInAs薄膜を用いて,中赤外域で活用するデザイナープラズモニック金属を成長させた。作製したデザイナプラズモニック金属は,中赤外波長域において,従来の金属で得られない効果を持つことが分かった。また,これらの材料から作製した微小粒子は,局在表面プラズモンモードを支持することが判明した。

シソーラス用語： 赤外線 ,  *結晶 ,  *人工材料 ,  ケイ素 ,  ドーピング ,  ヒ化インジウム ,  化合物半導体 ,  半導体薄膜 ,  微粒子 ,  エピタクシー ,  *プラズモン ,  複素誘電率 ,  波長依存性 ,  スペクトル ,  反射スペクトル
準シソーラス用語： デザイナ金属 ,  プラズモニック金属 ,  *プラズモニック結晶 ,  中赤外線 ,  透過スペクトル

分類 (2件)： 固体プラズマ  (BM02160W) ,  光物性一般  (BM08010A)

タイトルに関連する用語 (1件)： デザイナ