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J-GLOBAL ID：201302256598526515   整理番号：13A0311981

金属ターゲットの反応性DCスパッタリング法によるAlドープZnO薄膜の室温成長

Room Temperature Growth of Al-Doped ZnO Thin Films by Reactive DC Sputtering Technique with Metallic Target

著者 (4件)： HASUIKE Noriyuki (Kyoto Inst. Technol., Kyoto, JPN) ,  NISHIO Koji (Kyoto Inst. Technol., Kyoto, JPN) ,  KISODA Kenji (Wakayama Univ., Wakayama, JPN) ,  HARIMA Hiroshi (Kyoto Inst. Technol., Kyoto, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 52  号： 1,Issue 2  ページ： 01AC09.1-01AC09.4  発行年： 2013年01月25日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 室温で金属ターゲットの反応DCスパッタリング法により,AlドープZnO(AZO)膜を調製した。可視領域で透過率が85%より高いすべて試験したAZO膜(0<[Al]<8.9%)を石英基板上に成長させることに成功した。すべてのAZO膜はウルツ鉱型構造で,不純物相はなかった。[Al]<2.9%のAZO膜はc軸方向に優先配向し,この配向はAl含有量が高くなるに連れて不鮮明になった。光学測定では,吸収端はBurnstein-Moss効果が原因となって3.30から3.66eVへシフトし,電子密度は各々2.5×10¹⁹から1.5×10²¹cm^-3と粗く評価した。一方,赤外領域の高い透過率から,電子移動度は低いと推測した。これから高い電気抵抗率が生じるため,AZO系の透明な導電性を実現するには成長条件のさらに改善し,最適化することが必要である。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： スパッタリング ,  *酸化亜鉛 ,  アルミニウム ,  化合物半導体 ,  ドーピング ,  *半導体薄膜 ,  透過率 ,  ウルツ鉱型結晶 ,  *優先配向 ,  吸収端 ,  効果 ,  電子密度 ,  赤外吸収スペクトル ,  キャリア移動度 ,  電気抵抗率 ,  スパッタ蒸着
準シソーラス用語： Burnstein-Moss効果 ,  *光透過率 ,  酸化物半導体 ,  *反応性DCスパッタリング

分類 (3件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  半導体の可視・紫外スペクトル  (BM08083Y) ,  半導体の赤外スペクトル及びRaman散乱・Ramanスペクトル  (BM08066B)

引用文献 (33件)：

• 1) A. Tsukazaki, M. Kubota, A. Ohtomo, T. Onuma, K. Ohtani, H. Ohno, S. F. Chichibu, and M. Kawasaki: Jpn. J. Appl. Phys. 44 (2005) L643.
• 2) A. Tsukazaki, A. Ohtomo, T. Onuma, M. Ohtani, T. Makino, M. Sumiya, K. Ohtani, S. F. Chichibu, S. Fuke, Y. Segawa, H. Ohno, H. Koinuma, and M. Kawasaki: Nat. Mater. 4 (2005) 42.
• 3) J. H. Urn, C. H. Rang, K. K. Kim, I. K. Park, D. K. Hwang, and S. J. Park: Adv. Mater. 18 (2006) 2720.
• 4) Y. R. Ryu, T. S. Lee, J. A. Lubguban, H. W. White, B. J. Kim, Y. S. Park, and C. J. Youn: Appl. Phys. Lett. 88 (2006) 241108.
• 5) D. M. Bagnall, Y. F. Chen, Z. Zhu, T. Yao, S. Koyama, M. Y. Shen, and T. Goto: Appl. Phys. Lett. 70 (1997) 2230.

タイトルに関連する用語 (7件)： 金属ターゲット ,  反応性 ,  DCスパッタリング ,  AlドープZnO ,  薄膜 ,  室温 ,  成長