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J-GLOBAL ID：201302256783210435   整理番号：13A0417186

マルチゲート電界効果トランジスタの一般的コアモデル パートII:ドレイン電流モデル

A Universal Core Model for Multiple-Gate Field-Effect Transistors. Part II: Drain Current Model

著者 (9件)： DUARTE Juan Pablo (Korea Advanced Inst. Sci. and Technol., Daejeon, KOR) ,  DUARTE Juan Pablo (Univ. California-Berkeley, CA, USA) ,  CHOI Sung-Jin (Korea Advanced Inst. Sci. and Technol., Daejeon, KOR) ,  CHOI Sung-Jin (Univ. California-Berkeley, CA, USA) ,  MOON Dong-Il (Korea Advanced Inst. Sci. and Technol., Daejeon, KOR) ,  AHN Jae-Hyuk (Korea Advanced Inst. Sci. and Technol., Daejeon, KOR) ,  KIM Jee-Yeon (Korea Advanced Inst. Sci. and Technol., Daejeon, KOR) ,  KIM Sungho (Korea Advanced Inst. Sci. and Technol., Daejeon, KOR) ,  CHOI Yang-Kyu (Korea Advanced Inst. Sci. and Technol., Daejeon, KOR)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 60  号： 2  ページ： 848-855  発行年： 2013年02月 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： マルチゲート電界効果トランジスタ(Mug-FET)の一般的ドレイン電流モデルを示した。本モデルでは,パートIの任意のポテンシャル法により導かれた一般的電荷モデルを使用し,その被積分関数を近似することにより,Pao-Sah積分を行った。本モデルは,ドーピングのないFETの閾値下の反転とチャネルにおける有限ドーピング密度の影響を説明している。本ドレイン電流モデルは,陽関数表示と連続的な表現で,すべての動作領域をカバーする。本モデルの精度は,ドーピングのないチャネルをもつ二重ゲートFETおよび円筒ゲートFETの良く知られたモデルから得られる精度と同等である。本モデルは,単一ゲートFET,二重ゲートFET,三重ゲートFET,方形ゲートFETおよび円筒ゲートFETなど種々のマルチゲート構造の数値シミュレーションと良好な一致を示した。

シソーラス用語： *FET【トランジスタ】 ,  電流 ,  モデリング ,  シミュレーション ,  ゲート【半導体】 ,  ドレイン【半導体】
準シソーラス用語： FinFET ,  MuGFET ,  ドレイン電流 ,  数値シミュレーション ,  *電界効果トランジスタ

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： マルチゲート ,  電界効果トランジスタ ,  コア ,  モデル ,  パート ,  ドレイン電流