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J-GLOBAL ID：201302257027579006   整理番号：13A0722092

TCADを用いた10~20kV 4H-SiC IGBTの温度依存性の評価

On the Assessment of Temperature Dependence of 10-20kV 4H-SiC IGBTs Using TCAD

著者 (2件)： NAWAZ Muhammad (ABB Corporate Res., Vaesteras, SWE) ,  CHIMENTO Filippo (ABB Corporate Res., Vaesteras, SWE)
資料名： Materials Science Forum  (Materials Science Forum)
巻： 740/742  ページ： 1085-1088  発行年： 2013年 
JST資料番号： D0716B  ISSN： 0255-5476  資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： スイス (CHE)  言語： 英語 (EN)

タイトルに関連する用語 (5件)： TCAD ,  4H-SiC ,  IGBT ,  温度依存性 ,  評価