文献

J-GLOBAL ID：201302257173315061   整理番号：13A0908759

WO_3表面上へのH_2解離吸着反応の第一原理研究

First-Principles Study of H_2 Dissociative Adsorption Reactions on WO_3 Surfaces

著者 (3件)： Tian Xianggui (School of Materials Sci. and Engineering,Beihang Univ., Beijing) ,  Zhang Yue (School of Materials Sci. and Engineering,Beihang Univ., Beijing) ,  Yang Taisheng (School of Materials Sci. and Engineering,Beihang Univ., Beijing)
資料名： Wuli Huaxue Xuebao  (Wuli Huaxue Xuebao)
巻： 28  号： 5  ページ： 1063-1069  発行年： 2012年 
JST資料番号： W0391A  ISSN： 1000-6818  CODEN： WHXUEU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： WO_3表面上へのH_2解離吸着の反応メカニズムを第一原理法により研究した。清浄面に対する計算は,c(2×2)再構成が最も安定した表面形状であることを示した。4つのH_2解離吸着モデルを研究した。最適構造は,末端のO_(1c)部位に2つのH原子が吸着し,続いて表面上で水が生成し酸素空孔が生じるというものであった。状態密度(DOS)の結果は,H_2解離吸着が伝導帯の部分充填につながることを明らかにし,そのことはH_2曝露によりWO_3電気伝導度の増加を説明するものであった。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST

シソーラス用語： 酸化タングステン ,  *解離吸着 ,  第一原理 ,  空格子点 ,  状態密度 ,  伝導バンド ,  電気伝導率
準シソーラス用語： 酸素空孔 ,  伝導帯 ,  電気伝導度

分類 (1件)： 吸着,イオン交換  (XD02060I)

タイトルに関連する用語 (3件)： 解離吸着 ,  第一原理 ,  研究