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J-GLOBAL ID：201302257424273576   整理番号：12A1814710

NO/F₂ガス混合物を使ってプラズマレスSiエッチング中のガス-表面反応ダイナミックスの評価

Evaluation of gas-surface reaction dynamics during the plasmaless Si etching using NO/F₂ gas mixture

著者 (5件)： TAJIMA S. (Nagoya Univ., Aichi, JPN) ,  HAYASHI T. (Nagoya Univ., Aichi, JPN) ,  ISHIKAWA K. (Nagoya Univ., Aichi, JPN) ,  SEKINE M. (Nagoya Univ., Aichi, JPN) ,  HORI M. (Nagoya Univ., Aichi, JPN)
資料名： Proceedings of International Symposium on Dry Process  (Proceedings of International Symposium on Dry Process)
巻： 34th  ページ： 25-26  発行年： 2012年 
JST資料番号： Y0378B  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *混合気体 ,  *酸化窒素 ,  *フッ素 ,  *ケイ素 ,  *表面反応 ,  分子構造 ,  分子軌道 ,  ダングリングボンド ,  加工速度 ,  表面粗さ ,  基板温度 ,  *エッチング ,  バイアホール ,  多層構造 ,  MEMS
準シソーラス用語： エッチング速度 ,  TSV【配線】

分類 (1件)： 固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (8件)： NO ,  ガス混合物 ,  プラズマ ,  レス ,  Siエッチング ,  表面反応 ,  ダイナミックス ,  評価