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J-GLOBAL ID：201302257561760255   整理番号：13A1409713

水熱法により形成されたGa-ドープZnOナノロッド中の欠陥のCOセンシング特性に対する効果

Effects of defects in Ga-doped ZnO nanorods formed by a hydrothermal method on CO sensing properties

著者 (2件)： PHAN Duy-thach (School of Electrical Engineering, Univ. of Ulsan, 93 Daehak-ro, Nam-gu, Ulsan 680-749, KOR) ,  CHUNG Gwiy-sang (School of Electrical Engineering, Univ. of Ulsan, 93 Daehak-ro, Nam-gu, Ulsan 680-749, KOR)
資料名： Sensors and Actuators. B. Chemical  (Sensors and Actuators. B. Chemical)
巻： 187  ページ： 191-197  発行年： 2013年10月 
JST資料番号： T0967A  ISSN： 0925-4005  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： この論文は水熱(HT)法によるGa-ドープZnOナノロッド(NRs)の合成及びそれらのCOセンシング特性に対するGa-ドーピングの効果を記述した。X線回折(XRD)及び光ルミネセンス(PL)実験からの結果に基づきGa-ドーピングは酸素関連欠陥(酸素割り込み)を無効にすることが見出され,COセンシング実験によりさらに確かめられた。ZnO NRsにおける欠陥は,それらはドナー関連(浅いドナー及び亜鉛割り込み)及びアクセプター関連(酸素割り込み)の双方,はGaドーピングレベルに依存した。ZnO NRsのCOセンシング特性はGaドーピングにより効果的に改善され,これはZnO NRs表面上の過剰酸素の除去及び浅いドナー濃度の増加からの結果でありそうである。Ga-ドープZnOはCO吸収に対する活性成分として形成されるかも知れない。最適2%Ga-ドープZnO NRsベースCOセンサは25%の応答因子を示し,これは150°Cの最適作動温度において非-ドープデバイスの感度に比べ5倍の増加であった。p-n接合-ベースセンサは数十秒まで短い速い応答を有する。Copyright 2013 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *ガリウム ,  *酸化亜鉛 ,  *ナノロッド ,  *水熱合成 ,  *一酸化炭素 ,  ドーピング ,  光ルミネセンス ,  X線回折 ,  *ガスセンサ ,  点欠陥
準シソーラス用語： 酸素欠陥

分類 (2件)： 分析機器  (CC02020S) ,  塩基,金属酸化物  (CD01030Z)

タイトルに関連する用語 (7件)： 水熱法 ,  Ga ,  ドープ ,  ZnOナノロッド ,  欠陥 ,  CO ,  センシング