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J-GLOBAL ID：201302257617875883   整理番号：13A0009137

InGaNを基本とする発光ダイオードにおけるV欠陥によるキャリア捕獲とその漏洩電流とエレクトロルミネセンスに及ぼす影響

Carriers capturing of V-defect and its effect on leakage current and electroluminescence in InGaN-based light-emitting diodes

著者 (13件)： LE L. C. (State Key Lab. on Integrated Optoelectronics, Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sciences, P.O. Box 912 ...) ,  ZHAO D. G. (State Key Lab. on Integrated Optoelectronics, Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sciences, P.O. Box 912 ...) ,  JIANG D. S. (State Key Lab. on Integrated Optoelectronics, Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sciences, P.O. Box 912 ...) ,  LI L. (State Key Lab. on Integrated Optoelectronics, Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sciences, P.O. Box 912 ...) ,  WU L. L. (State Key Lab. on Integrated Optoelectronics, Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sciences, P.O. Box 912 ...) ,  CHEN P. (State Key Lab. on Integrated Optoelectronics, Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sciences, P.O. Box 912 ...) ,  LIU Z. S. (State Key Lab. on Integrated Optoelectronics, Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sciences, P.O. Box 912 ...) ,  LI Z. C. (Suzhou Inst. of Nano-Tech and Nano-Bionics, Chinese Acad. of Sciences, Suzhou 215125, CHN) ,  FAN Y. M. (Suzhou Inst. of Nano-Tech and Nano-Bionics, Chinese Acad. of Sciences, Suzhou 215125, CHN) ,  ZHU J. J. (Suzhou Inst. of Nano-Tech and Nano-Bionics, Chinese Acad. of Sciences, Suzhou 215125, CHN) ,  WANG H. (Suzhou Inst. of Nano-Tech and Nano-Bionics, Chinese Acad. of Sciences, Suzhou 215125, CHN) ,  ZHANG S. M. (Suzhou Inst. of Nano-Tech and Nano-Bionics, Chinese Acad. of Sciences, Suzhou 215125, CHN) ,  YANG H. (State Key Lab. on Integrated Optoelectronics, Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sciences, P.O. Box 912 ...)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 101  号： 25  ページ： 252110-252110-4  発行年： 2012年12月17日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： InGaN/GaNの多重量子井戸から成る発光ダイオードの性能に対する量子井戸(QW)の数の効果を研究した。貫通転位(TD)によって影響を受ける様々なInGaNの井戸層に起因するV欠陥は,QWの周期の増加に伴って密度と平均サイズが増大し,結果として発光ダイオードの逆バイアス漏洩電流の増大と発光効率の低下を誘起することが分かった。導電性原子間力顕微鏡による測定から,V型欠陥は優先的にキャリアを捕獲し,その後関連するTD線における局所電流と非輻射再結合を増大することが分かった。このことは,頂点にV型欠陥を伴うTD線が,V型欠陥を含まないTD線よりも発光効率に対して大きな影響を持つことを示唆している。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *インジウム化合物 ,  *ガリウム化合物 ,  *窒化物 ,  化合物半導体 ,  *発光ダイオード ,  キャリア捕獲 ,  格子欠陥 ,  漏れ電流 ,  *エレクトロルミネセンス ,  *窒化ガリウム ,  ヘテロ接合 ,  貫通転位 ,  量子井戸 ,  再結合 ,  電流電圧特性 ,  走査電子顕微鏡 ,  電子顕微鏡観察 ,  原子間力顕微鏡 ,  顕微鏡観察
準シソーラス用語： V欠陥 ,  *窒化ガリウムインジウム ,  非放射再結合

分類 (2件)： 半導体のルミネセンス  (BM08092S) ,  発光素子  (NC03082G)

タイトルに関連する用語 (6件)： InGaN ,  発光ダイオード ,  欠陥 ,  キャリア捕獲 ,  漏洩電流 ,  エレクトロルミネセンス