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J-GLOBAL ID：201302257687925080   整理番号：13A1263392

RF力と基板温度の上昇によるゲルマニウム炭化物膜中のsp3混成炭素原子の増加

ncreasing sp3 hybridized carbon atoms in germanium carbide films by increasing RF power and substrate temperature

著者 (6件)： Wang Xiaoyi (Key Lab. of Optical System Advanced Manufacturing Technol.,Changchun Inst. of Optics,Fine Mechanics and ...) ,  Gao Jinsong (Key Lab. of Optical System Advanced Manufacturing Technol.,Changchun Inst. of Optics,Fine Mechanics and ...) ,  Chen Hong (Key Lab. of Optical System Advanced Manufacturing Technol.,Changchun Inst. of Optics,Fine Mechanics and ...) ,  Wang Tongtong (Key Lab. of Optical System Advanced Manufacturing Technol.,Changchun Inst. of Optics,Fine Mechanics and ...) ,  Shen Zhenfeng (Key Lab. of Optical System Advanced Manufacturing Technol.,Changchun Inst. of Optics,Fine Mechanics and ...) ,  Zheng Xuanming (Key Lab. of Optical System Advanced Manufacturing Technol.,Changchun Inst. of Optics,Fine Mechanics and ...)
資料名： Hongwai yu Jiguang Gongcheng  (Hongwai yu Jiguang Gongcheng)
巻： 41  号： 8  ページ： 2167-2172  発行年： 2012年 
JST資料番号： C2521A  ISSN： 1007-2276  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： Ge_(1-x)C_x膜をCH_4/Ar混合放電内のRF反応性スパッタリング純粋Ge(111)標的によって調製した。フィルム組成,接合構造及び機構特性に及ぼすRF力と基板温度の影響を,XPS,Raman及びナノ押込みの方法によって系統的に研究した。研究から,RF力と基板温度の上昇が,膜中のGe含有量を向上させる事ができる。それは,Geスパッタリング収率の上昇と基板からの炭素含有グループ離脱の強化の結果と考えられた。Ge含有量の増大はsp2C-C接合のsp3C-Ge接合への変化を促進し,その結果,膜中のsp3混成化炭素原子の相対含有量と,Ge_(1-x)C_x膜の硬度を顕著に改善する。この調査は,沈積の間のRF力または基板温度の増大によって,sp3混成炭素原子中に豊富な硬質Ge_(1-x)C_x膜を調製できる事を示唆する。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST

シソーラス用語： ゲルマニウム ,  *基板温度 ,  反応性スパッタリング ,  収率 ,  ナノインデンテーション ,  構造 ,  含有量 ,  X線光電子分光法 ,  膜 ,  炭化物
準シソーラス用語： スパッタリング収率 ,  ナノ押込 ,  接合構造 ,  XPS ,  フィルム

分類 (1件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (6件)： RF ,  基板温度 ,  ゲルマニウム ,  炭化物 ,  Sp3 ,  炭素原子