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J-GLOBAL ID：201302257828828318   整理番号：13A0239171

炭化ケイ素ウエハの簡易な欠陥検出法の開発

著者 (7件)： 姚永昭 (ファインセラミックセ) ,  石川由加里 (ファインセラミックセ) ,  菅原義弘 (ファインセラミックセ) ,  斎藤広明 (トヨタ自動車) ,  旦野克典 (トヨタ自動車) ,  鈴木寛 (トヨタ自動車) ,  河合洋一郎 (トヨタ自動車)
資料名： Fine Ceramics Report  (Fine Ceramics Report)
巻： 31  号： 1  ページ： 12-14  発行年： 2013年01月25日 
JST資料番号： L0506A  ISSN： 0911-5269  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 文献レビュー  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 炭化ケイ素(SiC),特に4H-SiCは高耐圧・低損失の次世代電子パワーデバイス材料に注目されている。SiC単結晶基板やエピ膜には多くの結晶欠陥が内在しており,種々の欠陥を検出・分類できる技術が不可欠である。本稿では,p型からn⁺型SiC単結晶・エピ膜における転位を簡易に検出・判別するエッチング手法(KNエッチング:KOH+Na₂O₂)の開発について解説した。1)KOHエッチングとKNエッチングの比較:Na₂O₂の添加により酸化反応が促進し,異方性エッチングが支配的になる,2)KNエッチングで形成した代表的なピットとそれらの分類:3種類の転位,六角形ピットサイズ分布,3)オフ角度の影響:オフ角度8°以内で有効。

シソーラス用語： 半導体素子 ,  パワーエレクトロニクス ,  *炭化ケイ素 ,  基板 ,  単結晶 ,  ウエハ【IC】 ,  エピタクシー ,  *格子欠陥 ,  *欠陥検査 ,  エッチング ,  エッチング液 ,  水酸化カリウム ,  酸化ナトリウム ,  酸化 ,  転位【結晶】 ,  エッチピット ,  角度 ,  角度依存性 ,  分布 ,  セラミック基板
準シソーラス用語： パワーデバイス ,  4H-SiC ,  結晶欠陥 ,  酸化反応 ,  異方性エッチング ,  オフ角 ,  サイズ分布

分類 (1件)： 固体デバイス材料  (NC03020K)

引用文献 (1件)：

• 1) Y. Gao, Z. Zhang et al. : Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 815, p139 (2004)

タイトルに関連する用語 (4件)： 炭化ケイ素 ,  ウエハ ,  欠陥検出 ,  開発