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J-GLOBAL ID：201302258082034856   整理番号：13A1111326

順不同二分子層六方晶系窒化硼素量子膜の電子物性

Electronic properties of disordered bilayer hexagonal boron nitride quantum films

著者 (6件)： Xiao Huaping (Lab. for Quantum Engineering and Micro-Nano Energy laboratory,Fac. of Materials,Optoelectronics and Physics ...) ,  Chen Yuanping (Lab. for Quantum Engineering and Micro-Nano Energy laboratory,Fac. of Materials,Optoelectronics and Physics ...) ,  Yang Kaike (Lab. for Quantum Engineering and Micro-Nano Energy laboratory,Fac. of Materials,Optoelectronics and Physics ...) ,  Wei Xiaolin (Lab. for Quantum Engineering and Micro-Nano Energy laboratory,Fac. of Materials,Optoelectronics and Physics ...) ,  Sun Lizhong (Lab. for Quantum Engineering and Micro-Nano Energy laboratory,Fac. of Materials,Optoelectronics and Physics ...) ,  Zhong Jianxin (Lab. for Quantum Engineering and Micro-Nano Energy laboratory,Fac. of Materials,Optoelectronics and Physics ...)
資料名： Wuli Xuebao  (Wuli Xuebao)
巻： 61  号： 17  ページ： 178101-1-178101-7  発行年： 2012年 
JST資料番号： B0628A  ISSN： 1000-3290  CODEN： WLHPA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： Andersonタイトバインディング模型に基づいて,順不同二分子層六方晶系窒化硼素量子膜の電子物性を調査する。著者らの数値結果は,順不同二分子層六方晶系窒化硼素量子膜の電子が局部的であることを示し,絶縁特性を提示する。しかしながら,単一層順不同二分子層六方晶系窒化硼素量子膜に関して,エネルギースペクトルには障害の強さから独立している永続的移動度端がある。これは,Mott転移が単一層障害構造に起こることを示した。これは秩序無秩序型の分離した量子膜のケースと類似である。結果は二分子層六方晶系窒化硼素量子膜の電子物性を理解して操るための役に立つ情報を提供できた。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST

シソーラス用語： *窒化ホウ素 ,  二分子層 ,  物理的性質 ,  エネルギー分布 ,  規則度 ,  Mott転移 ,  移動度端 ,  単一層
準シソーラス用語： *六方晶系窒化ホウ素 ,  電子物性 ,  エネルギースペクトル ,  秩序無秩序型

分類 (1件)： 数理物理学  (BA03000W)

タイトルに関連する用語 (4件)： 二分子層 ,  六方晶系窒化硼素 ,  量子 ,  電子物性