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J-GLOBAL ID：201302258396297606   整理番号：13A1028944

圧電抵抗ニッケル炭素 Ni:a-C:H 薄膜の圧力感度

Pressure sensitivity of piezoresistive nickel-carbon Ni:a-C:H thin films

著者 (8件)： UHLIG Steffen (Inst. for Mechatronics and Sensor Technol., HTW des Saarlandes, Saarland Univ. of Applied Sciences, Goebenstrasse 40 ...) ,  UHLIG Steffen (ZeMA - Zentrum fuer Mechatronik und Automatisierungstechnik gemeinnuetzige GmbH, Gewerbepark Eschberger Weg ...) ,  SCHMID-ENGEL Hanna (Inst. for Mechatronics and Sensor Technol., HTW des Saarlandes, Saarland Univ. of Applied Sciences, Goebenstrasse 40 ...) ,  SCHMID-ENGEL Hanna (ZeMA - Zentrum fuer Mechatronik und Automatisierungstechnik gemeinnuetzige GmbH, Gewerbepark Eschberger Weg ...) ,  SPEICHER Tobias (Inst. for Mechatronics and Sensor Technol., HTW des Saarlandes, Saarland Univ. of Applied Sciences, Goebenstrasse 40 ...) ,  SPEICHER Tobias (ZeMA - Zentrum fuer Mechatronik und Automatisierungstechnik gemeinnuetzige GmbH, Gewerbepark Eschberger Weg ...) ,  SCHULTES Guenter (Inst. for Mechatronics and Sensor Technol., HTW des Saarlandes, Saarland Univ. of Applied Sciences, Goebenstrasse 40 ...) ,  SCHULTES Guenter (ZeMA - Zentrum fuer Mechatronik und Automatisierungstechnik gemeinnuetzige GmbH, Gewerbepark Eschberger Weg ...)
資料名： Sensors and Actuators. A. Physical  (Sensors and Actuators. A. Physical)
巻： 193  ページ： 129-135  発行年： 2013年04月15日 
JST資料番号： B0345C  ISSN： 0924-4247  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ニッケル炭素薄膜のピエゾ抵抗効果,すなわち,静水圧と一定のひずみへの感度が,この研究で検討される。薄膜は,厚さで1200nmまでの反応性スパッタ法工程で入手され,Si/SiO₂基板で,約-20ppm/barの圧力感度計数(PCR)と最大30のゲージ率を示す。適用された静水圧に関して薄膜の抵抗性の線形変化が観察された。さらに,抵抗の温度係数は-300~0ppm/Kの範囲で決定された。一方,0ppm/Kと同じくらい良い状態でPCRsの温度係数を得た。Copyright 2013 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： 電気抵抗 ,  圧力測定 ,  圧抵抗効果 ,  *薄膜
準シソーラス用語： 圧電抵抗 ,  *圧力計測 ,  *ピエゾ抵抗効果

分類 (2件)： 圧電気,焦電気,エレクトレット  (BM05040M) ,  圧電デバイス  (NC03110I)

タイトルに関連する用語 (6件)： 圧電抵抗 ,  ニッケル ,  炭素 ,  Ni ,  薄膜 ,  感度