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J-GLOBAL ID：201302259048456748   整理番号：13A0473692

有機半導体としてのチオフェンベースのディスコティック系の検討への理論的アプローチ

Theoretical Approach to the Study of Thiophene-Based Discotic Systems As Organic Semiconductors

著者 (6件)： GARCIA Gregorio (Universidad de Jaen, Jaen, ESP) ,  MORAL Monica (Universidad de Jaen, Jaen, ESP) ,  GRANADINO-ROLDAN Jose M. (Universidad de Jaen, Jaen, ESP) ,  GARZON Andres (Universidad de Jaen, Jaen, ESP) ,  NAVARRO Amparo (Universidad de Jaen, Jaen, ESP) ,  FERNANDEZ-GOMEZ Manuel (Universidad de Jaen, Jaen, ESP)
資料名： Journal of Physical Chemistry C  (Journal of Physical Chemistry C)
巻： 117  号： 1  ページ： 15-22  発行年： 2013年01月10日 
JST資料番号： W1877A  ISSN： 1932-7447  CODEN： JPCCCK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 一連のチオフェン系ディスコティック化合物での電荷注入と輸送について,半経験的及びDFTレベルでの計算による検討を行った。積層した円盤構造の円盤間の距離はチオフェン環の存在で増加する。4つのチオフェン環を持つ1,4,5,8-テトラキス-ヘキシルオキシ-2,3,6,7-テトラチアジシクロペンタ[cd,ij]-s-インダセンのみが,典型的なトリフェニレン誘導体と比較して,正孔移動度が有意に増加することが示された。またLUMO/HOMOエネルギーレベルから見積もられた正孔注入も最も効率であった。さらにこれらの一連の化合物では電子移動度が低く,電子注入障壁も高く,電子輸送性は低いことも示された。

シソーラス用語： *有機半導体 ,  *硫黄複素環化合物 ,  ディスコチック液晶 ,  キャリア注入 ,  キャリア移動度 ,  半経験的方法 ,  *密度汎関数法
準シソーラス用語： *チオフェン誘導体 ,  *正孔移動度 ,  *正孔注入 ,  電荷注入 ,  電荷輸送 ,  電子移動度

分類 (3件)： 有機化合物の電気伝導  (BM03045F) ,  その他の半導体を含む系の接触  (BM03086O) ,  チオフェンの縮合誘導体  (CF07075U)

物質索引 (1件)： 2,2′,5,5′-テトラキス(ヘキシルオキシ)-4,4′-シクロ[3,3′-ビ[チエノ[2,3-b]チオフェン]]

タイトルに関連する用語 (3件)： 有機半導体 ,  チオフェン ,  理論