文献

J-GLOBAL ID：201302259222461373   整理番号：13A1126527

シリコン基板上のカーボンナノチューブの剥離の誘導分子動力学シミュレーションについて

Steered molecular dynamics simulation of peeling a carbon nanotube on silicon substrate

著者 (3件)： Peng Defeng (School of Aircraft Engineering,Nanchang Hangkong Univ., Nanchang) ,  Jiang Wugui (School of Aeronautical Manufacturing Engineering,Nanchang Hangkong Univ., Nanchang) ,  Peng Chuan (School of Aeronautical Manufacturing Engineering,Nanchang Hangkong Univ., Nanchang)
資料名： Wuli Xuebao  (Wuli Xuebao)
巻： 61  号： 14  ページ： 146102-1-146102-7  発行年： 2012年 
JST資料番号： B0628A  ISSN： 1000-3290  CODEN： WLHPA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： 誘導分子動力学(SMD)シミュレーションを,室温におけるシリコン表面からの単一壁カーボンナノチューブ(8,8)の剥離を研究するために実行する。カーボンナノチューブ(CNT)がシリコン基板から剥離する時,理想的スプリングによって調べられた平均力と剥離距離の間に規則的関係がある。大きな正及び負のピーク値を剥離過程において発見できる。可変剥離速度の平均力を調査し,それらのピーク値を剥離速度の関数に適合させる。SMDシミュレーション結果から,ピーク値と剥離速度の間に線形相関がある。それは,いくつかの生物物理学的剥離実験とよく一致する。高分子と比較して,CNTはシリコン表面への強い粘着力を持つ。剥離過程に及ぼす半径と長さ並びにCNTの欠陥の両方の影響を調べる。数的結果から,剥離力のピーク値はCNTの長さから独立しているが,CNTの半径の増大に伴って直線的に増大する。剥離力のピーク値は,ほとんどCNT内の5-7-7-5欠陥から独立しているが,CNTの半径欠陥によって極端に弱まる。示唆する手法は原子スケールでの将来の実験のための理論的予測を提供する。それは,シリコンベースの超小型電子工業におけるCNTの有望用途に役立つ。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST

シソーラス用語： *計算機シミュレーション ,  シミュレーション ,  カーボンナノチューブ ,  ウエハ【IC】 ,  単層カーボンナノチューブ ,  長さ ,  ばね ,  生物物理学 ,  相関
準シソーラス用語： *分子動力学シミュレーション ,  シリコン基板 ,  単一壁カーボンナノチューブ ,  原子スケール ,  スプリング ,  線形相関

分類 (1件)： 数理物理学  (BA03000W)

タイトルに関連する用語 (4件)： シリコン基板 ,  カーボンナノチューブ ,  誘導 ,  分子動力学シミュレーション