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J-GLOBAL ID：201302259233880220   整理番号：13A1299656

異なる基板上に育成したBa_0.92Ca_0.08Ti_0.95Zr_0.05O₃薄膜の誘電性および圧電特性

Dielectric and piezoelectric properties of the Ba_0.92Ca_0.08Ti_0.95Zr_0.05O₃ thin films grown on different substrate

著者 (5件)： LI Wei (Functional Materials Res. Lab., Tongji Univ., Shanghai 200092, CHN) ,  LI Wei (Coll. of Materials Sci. and Engineering, Liaocheng Univ., Liaocheng 252059, CHN) ,  HAO Jigong (Functional Materials Res. Lab., Tongji Univ., Shanghai 200092, CHN) ,  ZENG Huarong (Key Lab. of Inorganic Functional Materials and Devices, Shanghai Inst. of Ceramics, Chinese Acad. of Sciences ...) ,  ZHAI Jiwei (Functional Materials Res. Lab., Tongji Univ., Shanghai 200092, CHN)
資料名： Current Applied Physics  (Current Applied Physics)
巻： 13  号： 7  ページ： 1205-1208  発行年： 2013年09月 
JST資料番号： W1579A  ISSN： 1567-1739  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ゾル-ゲル法により,Pt/Ti/SiO₂/SiおよびLaNiO₃(LNO)/Pt/Ti/SiO₂/Siのそれぞれの基板上に鉛フリーのBa_0.92Ca_0.08Ti_0.95Zr_0.05O₃(BCZT)薄膜を蒸着した。構造,誘電および圧電特性に及ぼす基板の効果を詳しく調べた。(LNO)/Pt/Ti/SiO₂/Si基板上に育成したBCZT薄膜は(100)配向,大きな粒サイズおよび高い誘電率可変性(64%)を示した。Pt/Ti/SiO₂/Si上に堆積したBCZT薄膜は(110)方位,高いCurie温度(75°C),優れた圧電特性(d₃₃=50pm/V)および低い誘電損失(0.02)を示した。二種類の配向BCZTの誘電および圧電特性の違いは,配向制御BCZT膜の構造,面内応力および分極回転の違いに帰着できよう。Copyright 2013 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *チタン酸バリウム ,  *ジルコニウム酸塩 ,  *チタン酸塩 ,  *バリウム化合物 ,  *カルシウム ,  *置換 ,  誘電体薄膜 ,  *誘電性 ,  *基板 ,  ゾル-ゲル法 ,  圧電材料 ,  構造特性 ,  白金 ,  複合体 ,  ニッケル酸塩 ,  結晶方位 ,  結晶粒径 ,  誘電率 ,  Curie温度 ,  誘電損失 ,  応力 ,  分極反転 ,  X線回折 ,  温度依存性 ,  電圧 ,  原子間力顕微鏡 ,  変位 ,  可変性 ,  ニオブ酸塩 ,  ランタン化合物 ,  二酸化ケイ素 ,  圧電気
準シソーラス用語： *ジルコニウム酸チタン酸バリウム ,  バイアス電圧 ,  *圧電特性 ,  強誘電的Curie温度 ,  分極回転 ,  面内応力 ,  無鉛材料 ,  ニオブ酸ランタン

分類 (3件)： 強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B) ,  圧電気,焦電気,エレクトレット  (BM05040M) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (3件)： 薄膜 ,  誘電性 ,  圧電特性