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J-GLOBAL ID：201302259490007626   整理番号：13A0515330

MgF_2(010)表面によるAgの吸着に関する密度汎関数理論研究

Density Functional Theory Study on Ag Adsorption on MgF_2(010)Surface

著者 (5件)： Wang Liping (Key Lab. of Interface Sci. and Engineering in Advanced Materials,Ministry of Education, Taiyuan Univ. of Technol.) ,  Han Peide (Coll. of Materials Sci. and Engineering, Taiyuan Univ. of Technol., Taiyuan) ,  Hao Yuying (Dep. of Physics and Optelectronics, Taiyuan Univ. of Technol., Taiyuan) ,  Zhang Zhuxia (Key Lab. of Interface Sci. and Engineering in Advanced Materials,Ministry of Education, Taiyuan Univ. of Technol.) ,  Xu Bingshe (Key Lab. of Interface Sci. and Engineering in Advanced Materials,Ministry of Education, Taiyuan Univ. of Technol.)
資料名： Gaodeng Xuexiao Huaxue Xuebao  (Gaodeng Xuexiao Huaxue Xuebao)
巻： 33  号： 3  ページ： 569-574  発行年： 2012年 
JST資料番号： C2116A  ISSN： 0251-0790  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： MgF_2(010)面の幾何構造及び電子構造を,密度汎関数理論(DFT)に基づく超ソフト擬ポテンシャル平面波法を用いて計算した。更に,表面のAgの吸着について考察した。その結果,MgF_2バルクに比べて,MgF_2(010)表面のバンドギャップは約0.9eV狭く,エネルギー状態は分裂し,表面状態が存在するようであり,それは第一層のF原子のダングリング結合に起因した。また,トップ層Fの状態の密度(DOS)はバルクの状態の密度よりも高いことが明らかになり,それは表面が活性で外部との相互作用が容易であることを示していた。MgF_2(010)表面によるAgの吸着の計算によって,四重空洞がエネルギー的に有利であり,吸着は化学的であることが判明した。吸着機構に関する解析によって,電子移動はAgの4pとMgの3sの間で主に生じることが判明した。光学的特性の考察によって,可視バンドに於ける吸収は大変増加し,それはAg/MgF_2多層の光学的特性に明らかに影響を及ぼすことが判明した。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST

シソーラス用語： *吸着 ,  *銀 ,  密度汎関数法 ,  構造 ,  電子構造 ,  状態 ,  相互作用 ,  電子移動
準シソーラス用語： *Ag ,  密度汎関数理論 ,  幾何構造 ,  エネルギー状態

分類 (1件)： 吸着,イオン交換  (XD02060I)

タイトルに関連する用語 (4件)： Ag ,  吸着 ,  密度汎関数理論 ,  研究