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J-GLOBAL ID：201302259513146297   整理番号：13A0064436

薄膜太陽電池応用に向けてマグネトロンスパッタリングによって作製されたITO-AZO二層薄膜の性質

Properties of ITO-AZO bilayer thin films prepared by magnetron sputtering for applications in thin-film silicon solar cells

著者 (3件)： WANG Chao (Henan Univ., Henan Key Lab. of Photovoltaic Materials, School of Physics and Electronics, 475004, Kaifeng, P.R. China) ,  MAO Yanli (Henan Univ., Henan Key Lab. of Photovoltaic Materials, School of Physics and Electronics, 475004, Kaifeng, P.R. China) ,  ZENG Xiangbo (Chinese Acad. of Sciences, Key Lab. of Semiconductor Materials, 100083, Beijing, P.R. China)
資料名： Applied Physics. A. Materials Science & Processing  (Applied Physics. A. Materials Science & Processing)
巻： 110  号： 1  ページ： 41-45  発行年： 2013年01月 
JST資料番号： D0256C  ISSN： 0947-8396  CODEN： APHYCC  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： この研究では,シリコン太陽電池のための酸化インジウムスズ(ITO)及びアルミニウムドープ酸化亜鉛(AZO)の双層薄膜の電気光学的挙動と応用を研究した。ITO-AZO二層薄膜はガラス基板上に無線周波マグネトロンスパッタリングによって堆積された。実験結果はITO-AZO二層薄膜の電気抵抗の減少が光学的性質の大幅な劣化無しに達成されたことを示している。最良の場合,二層の抵抗率はAZOバッファ層の厚さが12nmの時に最小値5.075×10^-4Ωcmに達した。ITO-AZO二層薄膜をアモルファスシリコン太陽電池の前面電極に応用して,太陽電池の短絡電流密度の著しい増加を得た。Copyright 2012 Springer-Verlag Berlin Heidelberg Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *太陽電池 ,  透明導電膜 ,  *酸化インジウムスズ ,  *酸化亜鉛 ,  アルミニウム ,  ドーピング ,  化合物半導体 ,  半導体薄膜 ,  多層膜 ,  透明電極 ,  電気抵抗率 ,  マグネトロンスパッタリング ,  スパッタ蒸着
準シソーラス用語： *アモルファスシリコン太陽電池 ,  薄膜太陽電池

分類 (2件)： 太陽電池  (NC03084O) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (8件)： 薄膜太陽電池 ,  応用 ,  マグネトロンスパッタリング ,  作製 ,  ITO ,  Azo ,  薄膜 ,  性質