文献

J-GLOBAL ID：201302259666908714   整理番号：13A0980573

プローブ装置のナノスケール・スライディング電気接点における主要な摩擦要因に関する材料特性に及ぼす影響

Influence of Material Properties on Major Tribological Factors at a Nanoscale Sliding Electric Contact of Probe Devices

著者 (6件)： TOMIZAWA Yasushi (3D-BEANS Center, BEANS Lab.) ,  TOMIZAWA Yasushi (Corporate R&D Center, Toshiba Corp.) ,  ANDO Yasuhisa (3D-BEANS Center, BEANS Lab.) ,  ANDO Yasuhisa (Tokyo Univ. of Agriculture and Technol.) ,  FUJITA Hiroyuki (3D-BEANS Center, BEANS Lab.) ,  FUJITA Hiroyuki (Inst. of Industrial Sci., The Univ. of Tokyo)
資料名： Journal of Advanced Mechanical Design, Systems, and Manufacturing (Web)  (Journal of Advanced Mechanical Design, Systems, and Manufacturing (Web))
巻： 7  号： 1  ページ： 15-29 (J-STAGE)  発行年： 2013年 
JST資料番号： U0027A  ISSN： 1881-3054  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： スキャニングナノプローブを利用した装置あるいは正確なプロセス,(例えばプローブベースのナノリソグラフィとプローブベースのデータストレージ)は,nmサイズの小さなパターンを扱うことができる最先端技術である。研究開発段階から実用的な実装段階へ技術移転するためには,プローブ・チップの耐摩耗性の大幅な向上には,システムの信頼性と長期運転とが必要とされる。他方では,描かれたパターンや記録ビットのサイズ凹凸を除去するために,より高いスループットを達成するためプローブの走査速度が増加した場合でも,プローブ先端のナノスケールすべり接触領域において電気的接触抵抗が安定していなければならない。このようなジレンマ問題を解決するために,プローブ先端の摩擦に関する研究は非常に重要となる。本論は,電気接触抵抗,摩擦力,ナノプローブ先端の耐摩耗性などの相互関係の材料特性への影響を,プローブ先端のナノスケール接触面積で発生する摩擦現象を解明するために詳細に検討した。これらの結果から,上記3つの摩擦要因のために,支配的に重要な材料特性について議論した。結論として,金属電極表面の酸化膜厚の管理が,すべての3つの要因の中で重要となった。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *プローブ ,  *電気接点 ,  規模 ,  *摩擦 ,  リソグラフィー ,  データ蓄積 ,  走査 ,  マイクロプローブ ,  *耐摩耗性 ,  速度 ,  *接触抵抗 ,  摩擦力 ,  *酸化膜
準シソーラス用語： スキャンニング ,  データストレイジ ,  *ナノスケール ,  ナノプローブ ,  ナノリソグラフィー ,  走査速度 ,  耐摩耗性能

分類 (2件)： 力,仕事量,圧力,摩擦の計測法・機器  (AD05050V) ,  電気接点  (NA05070V)

引用文献 (16件)：

• (1) Eleftheriou, E., Antonakopoulos, T., Binnig, G.K., Cherubini, G., Despont, M., Dholakia, A., Durig, U., Lantz, M.A., Pozidis, H., Rothuizen, H.E., and Vettiger, P., “Millipede-A MEMS-Based Scanning-Probe Data-Storage System,” IEEE Transactions on Magnetics, Vol.39, No.2 (2003), pp.938-945.
• (2) Tanaka, K., Kurihara, Y., Uda, T., Daimon, Y., Odagawa, N., Hirose, R., Hiranaga, Y., and Cho, Y., “Scanning Nonlinear Dielectric Microscopy Nano-Science and Technology for Next Generation High Density Ferroelectric Data Storage,” Japanese Journal of Applied Physics, Vol.47, No.5 (2008), pp.3311-3325.
• (3) Wright, C.D., Armand, M., and Aziz, M.M., “Terabit-Per-Square-Inch Data Storage Using Phase-Change Media and Scanning Electrical Nanoprobes,” IEEE Transactions on Nanotechnology, Vol.5, No.1 (2006), pp.50-61.
• (4) Ishibashi, M., Heike, S., and Hashizume, T., “Dot-Array Resist Patterning Using Scanning Probe Microscopy with a Hybrid Current-Voltage Control Method,” Japanese Journal of Applied Physics, Vol.41, No.6B (2002), pp.4395-4399.
• (5) Nishimura, S., Ogino, T., Takemura, Y., and Shirakashi, J., “Local Oxidation of Si Surfaces by Tapping-Mode Scanning Probe Microscopy: Size Dependence of Oxide Wires on Dynamic Properties of Cantilever,” Japanese Journal of Applied Physics, Vol.47, No.1 (2008), pp.718-720.

タイトルに関連する用語 (6件)： プローブ装置 ,  ナノスケール ,  電気接点 ,  摩擦 ,  要因 ,  材料特性