バリア層材料として半導性量子ドットCuInS<sub>2</sub>を用いたビチアゾール架橋色素増感太陽電池の光起電性能

GUO Fuling; HE Jinxiang; LI Jing; WU Wenjun; HANG Yandi; HUA Jianli

文献

J-GLOBAL ID：201302259803576767 整理番号：13A1379205

バリア層材料として半導性量子ドットCuInS₂を用いたビチアゾール架橋色素増感太陽電池の光起電性能

Photovoltaic performance of bithiazole-bridged dyes-sensitized solar cells employing semiconducting quantum dot CuInS₂ as barrier layer material

出版者サイト複写サービスで全文入手 {{ this.onShowCLink("http://jdream3.com/copy/?sid=JGLOBAL&noSystem=1&documentNoArray=13A1379205&COPY=1") }}
高度な検索・分析はJDreamⅢで {{ this.onShowJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=13A1379205&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=C0279A") }}

著者 (6件)： , , , , ,
資料名：
巻： 408 ページ： 59-65 発行年： 2013年10月15日
JST資料番号： C0279A ISSN： 0021-9797 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：オランダ (NLD) 言語：英語 (EN)

逐次イオン層吸着および反応(SILAR)法を用いて,TiO₂膜上に量子ドットCuInS₂層を沈着させ,その後二種のビチアゾール架橋色素(BTFおよびBTB)をCuInS₂/TiO₂膜上に敏感化させてDSSCのための色素/CuInS₂/TiO₂光アノードを生成した。エネルギーバリア層として量子ドットCuInS₂は,太陽電池の開路電圧(V_oc)を効率的に改善するばかりでなく,エネルギーバリア層としてZnOの短絡光電流(J_sc)における大きな減少と比較して,J_scを増加させた。電気化学インピーダンススペクトロスコピー(EIS)測定より,CuInS₂が注入電子から電解質まで再結合を抑制し,開路電圧を改善するために,バリア層を生成させることがわかった。最後に,開路電圧はBTFおよびBTB-CuInS₂/TiO₂を基部とした電池に対して約22および27mV増加し,総合的な変換効率も各々,7.20%および6.74%に達した。Copyright 2013 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

, , , , , , , ,
, , , ,

電池一般 , 界面化学一般

, , , , ,

前のページに戻る

バリア層材料として半導性量子ドットCuInS2を用いたビチアゾール架橋色素増感太陽電池の光起電性能

バリア層材料として半導性量子ドットCuInS₂を用いたビチアゾール架橋色素増感太陽電池の光起電性能