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J-GLOBAL ID：201302259923852938   整理番号：12A1798720

プニコゲン酸化物Sb₂O₅膜における単極および双極抵抗スイッチング現象の共存

Concurrent presence of unipolar and bipolar resistive switching phenomena in pnictogen oxide Sb₂O₅ films

著者 (9件)： AHN Youngbae (Dep. of Materials Sci. and Engineering and Inter-University Semiconductor Res. Center, Seoul National Univ., Seoul ...) ,  HO LEE Jong (Dep. of Materials Sci. and Engineering and Inter-University Semiconductor Res. Center, Seoul National Univ., Seoul ...) ,  HWAN KIM Gun (Dep. of Materials Sci. and Engineering and Inter-University Semiconductor Res. Center, Seoul National Univ., Seoul ...) ,  WOON PARK Ji (Dep. of Materials Sci. and Engineering and Inter-University Semiconductor Res. Center, Seoul National Univ., Seoul ...) ,  HEO Jaeyeong (Dep. of Materials Sci. and Engineering, Chonnam National Univ., Gwangju 500-757, KOR) ,  WOOK RYU Seung (Dep. of Electrical Engineering, Stanford Univ., Stanford, California 94305, USA) ,  SEOK KIM Young (Dep. of Materials Sci. and Engineering and Inter-University Semiconductor Res. Center, Seoul National Univ., Seoul ...) ,  SEONG HWANG Cheol (Dep. of Materials Sci. and Engineering and Inter-University Semiconductor Res. Center, Seoul National Univ., Seoul ...) ,  JOON KIM Hyeong (Dep. of Materials Sci. and Engineering and Inter-University Semiconductor Res. Center, Seoul National Univ., Seoul ...)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 112  号： 11  ページ： 114105-114105-5  発行年： 2012年12月01日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Sb/Sb₂O₅/Pt構造の単極抵抗スイッチング(URS)特性と双極抵抗スイッチング(BRS)特性の共存を調べた。BRS現象は,アノード近傍の局在領域中の導電フィラメント(CF)の破断・回復により誘起されるURSサイクル時の異常なリセット過程により生じることが分かった。URSおよびBRSの高抵抗状態における電気伝導はSchottky放出と空間伝電荷制限電流により説明できた。このことはURSおよびBRS現象が再酸化の広がりと局所的破断領域の減少により誘起されることを意味する。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *酸化アンチモン ,  化合物半導体 ,  MSM構造 ,  *スイッチング ,  電気抵抗 ,  電流電圧特性 ,  電気伝導
準シソーラス用語： *抵抗スイッチング

分類 (1件)： 半導体結晶の電気伝導  (BM03043X)

タイトルに関連する用語 (5件)： 酸化物 ,  極 ,  抵抗スイッチング ,  現象 ,  共存