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J-GLOBAL ID：201302259927614357   整理番号：13A1418096

高周波集積化負荷点コンバータ:概説

High-Frequency Integrated Point-of-Load Converters: Overview

著者 (2件)： LEE Fred C. (Virginia Tech, VA, USA) ,  LI Qiang (Virginia Tech, VA, USA)
資料名： IEEE Transactions on Power Electronics  (IEEE Transactions on Power Electronics)
巻： 28  号： 9  ページ： 4127-4136  発行年： 2013年09月 
JST資料番号： D0211B  ISSN： 0885-8993  CODEN： ITPEE8  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 著者等は,高スイッチング周波数と高電力密度を持つ高集積化コンバータ設計を調査し,結果をパワー素子技術,磁性材料及び受動素子(特に磁気要素)と能動要素との集積化法に分解した。パワー素子では,低電圧MOSFETが高電圧MOSFETより良い性能を持ち,コンバータ入力電圧は12Vの代わりに5Vが適することを示した。LGAパッケージを持つ30-40VのGaNHEMTは,シリコン素子の代替候補と成り得て,12V入力の高周波POL(負荷点)コンバータの可能性を示した。磁性材料では,NiZnフェライト,フェライトポリマ物質及び細粒フィルム合金CoNiFe等が小コア損失密度であった。集積化技術はウエハレベルとパッケージレベルの2レベルに分類した。ウエハレベルは低電流応用に,パッケージレベルは高電流応用に適していた。3次元集積化技術は,高電流高密度集積化に有望であり,GaN素子と低外形LTCCインダクタの集積化基板の使用により,20A,5MHzの3次元集積化POLコンバータの電力密度は,1100W/インチ³程度であった。

シソーラス用語： *電力変換器 ,  周波数 ,  エネルギー密度 ,  *半導体素子 ,  MOSFET ,  ICパッケージ ,  HEMT ,  ニッケルフェライト ,  亜鉛フェライト ,  *調査 ,  集積 ,  HF【周波数】
準シソーラス用語： GaN HEMT ,  LGAパッケージ ,  コンバータ【電力】 ,  スイッチング周波数 ,  ニッケル亜鉛フェライト ,  パワー素子 ,  *技術調査 ,  高周波 ,  集積化 ,  電力密度

分類 (2件)： 電源回路  (NC05060Q) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (3件)： 高周波 ,  集積化 ,  コンバータ