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J-GLOBAL ID：201302259956117761   整理番号：13A0004631

SiON/SiN/Si中のNプロファイルのSIMS分析

SIMS analytical technique for N profile in SiON/SiN/Si

著者 (3件)： KIM Sung-Kyu (POSTECH, Pohang, KOR) ,  LEE B. H. (POSTECH, Pohang, KOR) ,  PARK C. G. (POSTECH, Pohang, KOR)
資料名： Surface and Interface Analysis  (Surface and Interface Analysis)
巻： 44  号： 11/12  ページ： 1488-1491  発行年： 2012年11月 
JST資料番号： E0709A  ISSN： 0142-2421  CODEN： SIANDQ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究で筆者らは,O₂⁺一次ビームを利用するSiON/SiN/Si薄膜中のNプロファイル測定,及びN⁺とN₂⁺⁺原子イオンのモニタリングを報告する。実験にはO²⁺,Cs⁺イオンガンを備えた二次イオン質量分析(SIMS)(動的SIMS装置(IMS 6F)を用い,試料の表面と深さプロファイルの測定で質量スペクトルを得た。また筆者らは,SiプロファイルがSiON,SiN,及びSiのそれぞれの領域中で反転挙動を示す原因を調べる。その結果,深さプロファイルから,SiN/Si,SiON/SiN/Si,及びN-埋込みSi中に14N,14N₂,及び28Siイオンが分布することが分かった。筆者らは14Nがいくつかの多層中の非常にすぐれた候補であることを見出した。

シソーラス用語： *酸化物 ,  *絶縁膜 ,  *窒化ケイ素 ,  ケイ素 ,  *二次イオン質量分析 ,  *深さプロフィル ,  薄膜
準シソーラス用語： *酸窒化ケイ素

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (5件)： SiON ,  SiN ,  Si ,  プロファイル ,  SIMS分析