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J-GLOBAL ID：201302260134551816   整理番号：13A0948965

有機半導体-絶縁体界面のゆらぎ解析

Fluctuation analysis of an organic semiconductor-insulator interface

著者 (3件)： WEST Ryan M. (Georgia Inst. of Technol., Atlanta, USA) ,  JOSOWICZ Mira (Georgia Inst. of Technol., Atlanta, USA) ,  JANATA Jiri (Georgia Inst. of Technol., Atlanta, USA)
資料名： Physical Chemistry Chemical Physics  (Physical Chemistry Chemical Physics)
巻： 15  号： 20  ページ： 7577-7585  発行年： 2013年05月28日 
JST資料番号： A0271C  ISSN： 1463-9076  CODEN： PPCPFQ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 有機半導体の不均一性と不規則度がFermi準位と仕事関数に及ぼす影響を検討した。絶縁体-ポリアニリンゲート電界効果トランジスタのドレイン電流の確率的自然ゆらぎ,過剰ノイズを解析して界面空間電荷領域を検出した。このノイズはFermi準位付近のトラップ間の確率的な電子交換から起き,そのパワースペクトル密度は分布時定数を持つLorentz過程の特性で,有機半導体中の不規則度による。この不規則度は更に膜内の仕事関数の局所的不均一と,仕事関数のゆらぎの有限な相関長の原因となる。仕事関数のノイズは界面の相関長以内でしか測定できない。ゲート電圧,一次ドーピング,二次ドーピングを組織的に変えて相関長,不規則度,トラップ/脱トラップの時定数を測定した。これによりポリアニリン膜内の仕事関数の局所ゆらぎと電荷キャリアの自然ゆらぎの経験的なモデルを構成した。

シソーラス用語： *有機半導体 ,  *界面 ,  *接合部 ,  不均一性 ,  規則度 ,  Fermi準位 ,  仕事関数 ,  ポリアニリン ,  ゲート【半導体】 ,  FET【トランジスタ】 ,  電流 ,  雑音 ,  パワースペクトル ,  時定数 ,  ゆらぎ ,  相関長 ,  電圧 ,  ドーピング ,  キャリア ,  *モデル
準シソーラス用語： *接合界面 ,  不規則度 ,  有機電界効果トランジスタ ,  ドレイン電流 ,  過剰ノイズ ,  ノイズパワースペクトル ,  ゲート電圧 ,  電荷キャリア ,  *経験的モデル

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  有機化合物の電気伝導  (BM03045F)

タイトルに関連する用語 (5件)： 有機半導体 ,  絶縁体 ,  界面 ,  ゆらぎ ,  解析