CHANG LEE Seung について
Dep. of Materials Sci. and Engineering, Myongji Univ., Yongin, Gyeonggi-do 449-728, KOR について
HU Quanli について
Dep. of Physics, Myongji Univ., Yongin, Gyeonggi-do 449-728, KOR について
BAEK Yoon-jae について
Dep. of Materials Sci. and Engineering, Myongji Univ., Yongin, Gyeonggi-do 449-728, KOR について
JIN CHOI Young について
Dep. of Physics, Myongji Univ., Yongin, Gyeonggi-do 449-728, KOR について
JUNG KANG Chi について
Dep. of Physics, Myongji Univ., Yongin, Gyeonggi-do 449-728, KOR について
HO LEE Hyun について
Dep. of Chemical Engineering, Myongji Univ., Gyeonggi-do 449-728, KOR について
YOON Tae-sik について
Dep. of Materials Sci. and Engineering, Myongji Univ., Yongin, Gyeonggi-do 449-728, KOR について
Journal of Applied Physics について
N型半導体 について
酸化亜鉛 について
ナノワイヤ について
基板 について
P型半導体 について
ケイ素 について
PN接合 について
下層 について
電極 について
チタン について
アナログ系 について
極性 について
スイッチング について
容量電圧特性 について
ヒステリシス について
積層構造 について
空格子点 について
再分布 について
キャリア捕獲 について
シード層 について
ダイオード特性 について
酸素空孔 について
双極性 について
抵抗スイッチング について
13-15族化合物を含まない半導体-半導体接合 について
半導体結晶の電気伝導 について
ZnOナノワイヤ について
PN接合 について
アナログ について
抵抗スイッチング について