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J-GLOBAL ID:201302260389446560   整理番号:13A0638332

アーク放電で合成した単層カーボンナノチューブの半導性の含有量に対する精製プロセスの影響

Influence of the purification process on the semiconducting content of single-walled carbon nanotubes synthesized by arc discharge
著者 (3件):
資料名:
巻: 57  ページ: 338-345  発行年: 2013年06月 
JST資料番号: H0270B  ISSN: 0008-6223  CODEN: CRBNA  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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単層カーボンナノチューブ(SWCNTs)をアーク放電で合成して,次に,熱と酸処理を含む2段プロセスで精製した。合成試料と処理試料は,熱重量分析や連続共鳴Raman散乱,紫外-可視-近赤外吸収分光法を使用して特性化した。熱と酸処理はそれぞれ炭素質粒子と金属触媒粒子を排除して,高純度SWCNTsをもたらした。合成したSWCNTsの金属含有量は精製プロセスによって異なっていた;合成時(約15%),熱処理(30%),熱/酸処理(25%)。異なる純度の3種のグレードを使用して透明電導膜を調製して,それらの性質を分析した。高い金属含有量と小さい束直径ために,熱処理したナノチューブは他の試料と比べて優れていた。Copyright 2013 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.
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分類 (2件):
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炭素とその化合物  ,  導体材料 
タイトルに関連する用語 (5件):
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