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J-GLOBAL ID：201302260449635562   整理番号：13A0312859

トランジスタ光動説に基づく新型増幅素子および新型スイッチング素子の開発

Development of novel amplifiers and switching devices basing on the Okamoto’s new theory for junction transistor

著者 (4件)： 藤田順一 (香川大) ,  細川浩司 (香川大) ,  波多江和喜 (香川大) ,  岡本研正 (香川大)
資料名： 電気学会電子回路研究会資料  (電気学会研究会資料)
巻： ECT-13  号： 1-16.18-19.22-25  ページ： 93-98  発行年： 2013年01月24日 
JST資料番号： X0578A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： これまでに,SiやGeからなる接合型トランジスタの動作原理に関して従来説とは全く異なる光動説という新仮説を発表した。この新仮説は,接合型トランジスタはエミッター・ベース間接合の発光とベース・コレクタ間接合の受光によって動作しているのではないかというものである。この仮説に基づき,様々な新型増幅素子や新型スイッチングの開発を行っている。本論文ではこれまでに開発した新デバイスについて述べた。新型増幅素子ではダイスター,および光空間トランジスタと名付けた素子を,新型スイッチング素子ではダイリスタ,光空間サイリスタ,およびトラリスタと名付けた素子を紹介した。

シソーラス用語： *接合形トランジスタ ,  *原理 ,  増幅器 ,  スイッチング素子 ,  サイリスタ ,  トライアック
準シソーラス用語： *動作原理

分類 (2件)： サイリスタ  (NC03060C) ,  トランジスタ  (NC03070N)

引用文献 (6件)：

• (1) Yohei Kawakami, Keishiro Goshima and Kensho Okamoto : "Op- tical communication using Si light-emitting diode", Proceedings of the Kansai-section joint convention of institutes of electrical engineering, 4P202-16 (2010).
• (2) Kensho Okamoto, "Versatile silicon optical device consists of Si light-emitting diode and Si photodiode, i.e. "Si bipolar junction transistor", Proceedings of the 36th Optical Symposium (Japan). pp.19-22 (2011)
• (3) Kensho Okamoto : "Novel hypothetical theory for behavior of bipolar transistor using photovoltaic model", 2011 International Semiconductor Device Research Symposium (ISDRS2011), Sym- posium Proceedings, ISBN:978-1-4577-1754-3, WP5-06 (2011).
• (4) Kensho Okamoto : "Novel theory on the preparation of bipolar junction transistor using internal reciprocal photovoltaic effect model", Proceedings of the 2012 IEICE General Conference, ISSN 1349-1377, C-11-3 (2012).
• (5) Kensho Okamoto and Junichi Fujita, "Invention of the "DISTAR" and its application to novel amplifier", The paper of Technical Meeting on "Electronic Circuits", IEE Japan, ECT-12-051 (2012).

タイトルに関連する用語 (4件)： トランジスタ ,  増幅素子 ,  スイッチング素子 ,  開発