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J-GLOBAL ID：201302260520922390   整理番号：13A1533077

自己触媒でシリコン基板上に固体源分子線エピタクシーにより成長したGaAsPナノワイヤ

Self-Catalyzed GaAsP Nanowires Grown on Silicon Substrates by Solid-Source Molecular Beam Epitaxy

著者 (7件)： ZHANG Yunyan (Univ. Coll. London, London, GBR) ,  AAGESEN Martin (SunFlake A/S, Copenhagen, DNK) ,  AAGESEN Martin (Gasp Solar ApS, Taastrup, DNK) ,  HOLM Jeppe V. (SunFlake A/S, Copenhagen, DNK) ,  JORGENSEN Henrik I. (SunFlake A/S, Copenhagen, DNK) ,  WU Jiang (Univ. Coll. London, London, GBR) ,  LIU Huiyun (Univ. Coll. London, London, GBR)
資料名： Nano Letters  (Nano Letters)
巻： 13  号： 8  ページ： 3897-3902  発行年： 2013年08月 
JST資料番号： W1332A  ISSN： 1530-6984  CODEN： NALEFD  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： リンの含有量により広い発光波長で調節可能な三元半導体の実用化を目指し,SiO₂/Si基板(111)面上に配したGa液滴を核とし,固体源分子線エピタクシー(MBE)を用いたVLS成長によりGaAsPのナノワイヤ(NW)の基板面に垂直な成長を,V/III及びP/Asフラックス比を変化させて最適化し,殆ど閃亜鉛鉱型の一様な径と高品質のNW結晶を実現した。またVLSとVS成長による結晶へのP/Asの取込み比を検討し,これら二つの成長機構の差を成長速度論により説明し,成長させたGaAsP NWにさらにエピタキシャルVS成長によりGaAsPのシェルを成長し室温における~710nmの発光を確かめた。

シソーラス用語： *ナノワイヤ ,  *ガリウム化合物 ,  *ヒ化物 ,  *リン化物 ,  MBE成長 ,  VLS成長 ,  薄膜成長 ,  閃亜鉛鉱型結晶 ,  品質 ,  理論 ,  シェル ,  光ルミネセンス ,  走査電子顕微鏡 ,  透過型電子顕微鏡 ,  エネルギー分散蛍光X線分析 ,  結晶成長 ,  化合物半導体 ,  自触媒作用
準シソーラス用語： VS成長 ,  *ヒ化リン化ガリウム ,  高品質 ,  成長速度論

分類 (3件)： 半導体の結晶成長  (BK13040X) ,  不均一系触媒反応  (CB06100E) ,  無機化合物のルミネセンス  (BM08093J)

タイトルに関連する用語 (7件)： 自己触媒 ,  シリコン基板 ,  固体 ,  分子線エピタクシー ,  成長 ,  GaAsP ,  ナノワイヤ