文献

J-GLOBAL ID：201302260589210782   整理番号：13A0027179

Al₂O₃/InAlN界面の制御とInAlN/GaN HEMTへの応用に関する研究

著者 (1件)： 赤澤正道 (北大 量子集積エレクトロニクス研セ)
資料名： 村田学術振興財団年報  (Annual Report of the Murata Science Foundation)
号： 26  ページ： 280-288  発行年： 2012年12月 
JST資料番号： L5491A  ISSN： 0919-3383  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： InAlN/GaNヘテロ構造上に,10nm程度のAl₂O₃を堆積し,さらに電極を形成して,MISHEMT構造を作製し,その断面構造及び電気的特性を評価した。TEM結果は,界面に大きな乱れ及び厚い遷移層は無く,極めて急峻な界面が形成されていることを示した。得られたC-V特性は,小さなヒステリシスで大きな容量変化を示し,また,二次元電子ガスの完全な空乏を示す特性であった。実際にMISHEMTを試作し,その動作を確認した。優れた動作ではなかったが,その後の熱処理により,特性は大幅に向上した。

シソーラス用語： *HEMT ,  アルミニウム化合物 ,  インジウム化合物 ,  窒化物 ,  *窒化ガリウム ,  *酸化アルミニウム ,  超薄膜 ,  *MIS構造 ,  *界面 ,  容量電圧特性 ,  ヒステリシス ,  二次元電子ガス ,  熱処理
準シソーラス用語： *窒化インジウムアルミニウム ,  ヘテロ構造

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X)

引用文献 (4件)：

• 1) M. Akazawa, B. Gao, T. Hashizume, M. Hiroki, S. Yamahata, and N. Shigekawa; "Optimum AIGaN Spacer Layer in Al203/InAIN/A1GaN/GaN Structures," the 9th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-9, Glasgow, UK, July 10-15, 2011).
• 2) M. Akazawa, B. Gao, T. Hashizume, M. Hiroki, S. Yamahata, and N. Shigekawa; "Optimization of A1GaN-based spacer layer for InAIN/GaN interfaces," Phys. Status Solidi (c) , Vol. 9, No. 3-4, pp.592-595 (2012).
• 3) M. Akazawa and T. Nakano; "Investigation of native oxide layers on untreated and chemically treated InA1N surfaces by X-ray photoelectron spectroscopy," ECS Solid State Letters, Vol. 1, No. 1, pp.P4-P6 (2012).
• 4) T. Nakano and M. Akazawa; "Effect of hydrofluoric acid treatment on InAlN surfaces," 2012 Asia- Pacific Workshop on Fundamental and Applications ofAdvanced Semiconductor Devices (AWAD2012, Naha, Okinawa, Japan, June 27-29, 2012) .

タイトルに関連する用語 (7件)： Al2O3 ,  InAlN ,  界面 ,  GaN ,  HEMT ,  応用 ,  研究