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J-GLOBAL ID:201302260683190540   整理番号:13A1778374

ホウ素添加ダイヤモンドにおける機構的研究: 小有機分子の酸化

Mechanistic studies on boron-doped diamond: Oxidation of small organic molecules
著者 (6件):
資料名:
巻: 110  ページ: 560-569  発行年: 2013年11月01日 
JST資料番号: B0535B  ISSN: 0013-4686  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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1M HClO4中のエタノール,アセトン,i-プロパノール,そのフッ素化類似物質ヘキサフルオロイソプロパノール(HFiP),およびシクロヘキサンの電気酸化を,二重薄膜電池を用いたオンライン示差電気化学質量分析により,ホウ素を添加したダイヤモンド(BDD)について検討した。それは,二つの酸化経路に区別できる: 2.5V以下の電位で起こるBBDへの直接電子移動と,2.5V以上の電位で反応物により生成し,捕捉されるOHラジカルによるもの。結果として,酸素発生反応は少なくとも,部分的に抑制された。電極への直接電子移動を,i-プロパノール,エタノール,およびシクロヘキサンで観測した。アセトンとHFiPについては,一瞬の,間接的な,OHラジカルの参入による経路が効果的だった。HFiP CO2形成物を除いた全ての反応物を,純支持電極の酸素発生反応(OER)に対する電位,2.5V,またはそれ以上で,通常どおりに観測した。それ故,OHラジカルは,C-C結合の開裂に有益だった。HFiPについて,反応物の存在と不在の支持電解質のサイクリックボルタモグラムは,同一だった。これは,COの酸化と同様に,HFiPの酸化はOHラジカルによって開始し,次に電極へのさらなる電子移動が続くことを示した。(I. Kisacik, A. Stefanova, S. Ernst及びH. Baltruschat, PCCP, 15 (2013) 4616)。二つの経路について,反応性はOHラジカルの均一な水素引抜反応速度と同じ傾向を示した。中間体ラジカルは,溶液中に含まれる酸素と反応する電子生成OHラジカルとの反応で形成した。Copyright 2013 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.
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分類 (4件):
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電気化学反応  ,  脂肪族アルコール  ,  酸化,還元  ,  産業廃水処理 
物質索引 (5件):
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