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J-GLOBAL ID：201302260902041750   整理番号：13A1331848

MgO(111)上に成長させたZrおよびZn添加Baヘキサフェライト薄膜の磁性結晶の異方性とFMR線幅

Magnetocrystalline Anisotropy and FMR Linewidth of Zr and Zn-Doped Ba-Hexaferrite Films Grown on MgO(111)

著者 (8件)： HU B. (Northeastern Univ., MA, USA) ,  CHEN Y. (Northeastern Univ., MA, USA) ,  SU Z. (Northeastern Univ., MA, USA) ,  BENNETT S. (Northeastern Univ., MA, USA) ,  BURNS L. (Metamagnetics Inc., MA) ,  UDDIN G. (Northeastern Univ., MA, USA) ,  ZIEMER K. (Northeastern Univ., MA, USA) ,  HARRIS V. G. (Northeastern Univ., MA, USA)
資料名： IEEE Transactions on Magnetics  (IEEE Transactions on Magnetics)
巻： 49  号： 7  ページ： 4234-4237  発行年： 2013年07月 
JST資料番号： A0339B  ISSN： 0018-9464  CODEN： IEMGAQ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： 酸化マグネシウム ,  基板 ,  ジルコニウム ,  亜鉛 ,  *フェライト ,  添加剤 ,  *磁性薄膜 ,  結晶方位 ,  強磁性共鳴
準シソーラス用語： ヘキサフェライト

分類 (1件)： 磁性材料  (NA04040H)

タイトルに関連する用語 (12件)： MgO ,  成長 ,  Zr ,  Zn ,  Ba ,  ヘキサフェライト ,  薄膜 ,  磁性 ,  結晶 ,  異方性 ,  FMR ,  線幅