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J-GLOBAL ID：201302260916769411   整理番号：13A1444741

MgO中間層を介したGe(001)基板上の完全エピタキシャルCoFe/MgO/CoFe磁気トンネル接合のトンネル磁気抵抗

Tunnel magnetoresistance in fully epitaxial CoFe/MgO/CoFe magnetic tunnel junctions on Ge(001) substrates via a MgO interlayer

著者 (6件)： LI Gui-fang (Hokkaido Univ., Sapporo, JPN) ,  TAIRA Tomoyuki (Hokkaido Univ., Sapporo, JPN) ,  LIU Hong-xi (Hokkaido Univ., Sapporo, JPN) ,  MATSUDA Ken-ichi (Hokkaido Univ., Sapporo, JPN) ,  UEMURA Tetsuya (Hokkaido Univ., Sapporo, JPN) ,  YAMAMOTO Masafumi (Hokkaido Univ., Sapporo, JPN)
資料名： 応用物理学会北海道支部・日本光学会北海道地区合同学術講演会講演予稿集  (応用物理学会北海道支部学術講演会・日本光学会北海道地区講演予稿集)
巻： 47th-8th  ページ： 77  発行年： 2012年01月06日 
JST資料番号： L5918A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： 薄膜 ,  鉄含有合金 ,  *コバルト合金 ,  *酸化マグネシウム ,  トンネル接合 ,  ゲルマニウム ,  ウエハ【IC】 ,  ホイスラー合金 ,  RHEED ,  熱処理 ,  層 ,  *トンネル効果 ,  *磁気抵抗効果 ,  エピタキシャル膜 ,  *トンネル磁気抵抗効果 ,  磁気トンネル接合 ,  中間層
準シソーラス用語： ゲルマニウム基板

分類 (1件)： 金属-絶縁体-金属構造  (BM03087F)

タイトルに関連する用語 (6件)： MgO ,  中間層 ,  Ge ,  エピタキシャル ,  磁気トンネル接合 ,  トンネル磁気抵抗