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J-GLOBAL ID：201302261047793133   整理番号：13A0954981

TFA-MODによるY_1-xGd_xBCO及び(Gd,Eu)共ドープY_0.9-yEu_yGd_0.1BCO薄膜におけるJ_c増倍及び磁束ピン止め

J_c enhancement and flux pinning in Y_{1- x} Gd _x BCO and (Gd,Eu) codoped Y_{0.9- y} Eu _y Gd_0.1BCO thin films by TFA-MOD

著者 (6件)： JIAN Hongbin (Key Lab. of Materials Physics, Inst. of Solid State Physics, Chinese Acad. of Sciences, Hefei 230031, CHN) ,  SHAO Dingfu (Key Lab. of Materials Physics, Inst. of Solid State Physics, Chinese Acad. of Sciences, Hefei 230031, CHN) ,  YANG Zhaorong (Key Lab. of Materials Physics, Inst. of Solid State Physics, Chinese Acad. of Sciences, Hefei 230031, CHN) ,  ZHU Xuebin (Key Lab. of Materials Physics, Inst. of Solid State Physics, Chinese Acad. of Sciences, Hefei 230031, CHN) ,  SUN Yuping (Key Lab. of Materials Physics, Inst. of Solid State Physics, Chinese Acad. of Sciences, Hefei 230031, CHN) ,  SUN Yuping (High Magnetic Field Lab., Chinese Acad. of Sciences, Hefei 230031, CHN)
資料名： Physica C. Superconductivity and Its Applications  (Physica C. Superconductivity and Its Applications)
巻： 488  ページ： 39-45  発行年： 2013年05月15日 
JST資料番号： T0580A  ISSN： 0921-4534  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Y_1-xGd_xBa₂Cu₃O_7-δ(0<x<0.5)薄膜を,トリフルオロ酢酸塩-有機金属塩熱分解(TFA-MOD) によりLaAlO₃(001)基板上に作製した。Y_0.9Gd_0.1Ba₂Cu₃O_7-δ薄膜の自己場下における臨界電流密度が,5~85Kの範囲内で,YBCO薄膜より約2倍高いことを観測した。共ドープY_0.9-yEu_yGd_0.1BaCuO薄膜(0<y<0.2)をTFA-MODにより作製した。磁場下の臨界電流密度が,共ドーピングにより大きく増倍することを観測した。磁束ピン止め型は,Gdドーピング及び共ドーピングにより変わらず,正規の表面ピンに帰着できた。Copyright 2013 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *イットリウムバリウム銅酸化物 ,  *ガドリニウム ,  *ドーピング ,  *ユウロピウム ,  *超伝導薄膜 ,  薄膜成長 ,  アルミン酸塩 ,  ランタン化合物 ,  基板 ,  *臨界電流密度 ,  *磁束ピン止め
準シソーラス用語： *YBCO ,  *共ドーピング ,  トリフルオロ酢酸塩-有機金属塩熱分解法 ,  アルミン酸ランタン

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  酸化物系超伝導体の物性  (BM04023I)

タイトルに関連する用語 (6件)： TFA ,  Gd ,  Eu ,  ドープ ,  薄膜 ,  磁束ピン止め