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J-GLOBAL ID:201302261253503290   整理番号:13A1299318

新ThCr2Si2型BaMn2Bi2およびカリウムをドープした組成物の結晶,磁気および電子物性

Crystals, magnetic and electronic properties of a new ThCr2Si2-type BaMn2Bi2 and K-doped compositions
著者 (2件):
資料名:
巻: 204  ページ: 32-39  発行年: 2013年08月 
JST資料番号: H0505A  ISSN: 0022-4596  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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ここでは,ビスマスフラックスから結晶化させたBaMn2Bi2の新3元系遷移金属プニクタイドにについて,報告する。BaMn2Bi2は,a=4.4902(3)Åおよびc=14.687(1)ÅをもつThCr2Si2型構造を採る。それは,異方性磁化率をもつ反強磁性で,Eg=6meVのバンドギャップをもつ半導体である。熱容量の結果は,γ=0の電子残留ゾンマーフェルト係数をもつBaMn2Bi2中の絶縁基底状態を確認した。高温磁化の結果は,磁気秩序化温度TNが,約400Kであることを示した。Ba1-xKxMn2Bi2中のカリウムによるBaMn2Bi2 中の正孔ドーピングは,x=0.10(1),0.32(1),0.36(1)で金属的特性をもたらした。カリウムドーピングにより,より磁気異方的な特性が観察された。>30%ドープした結晶では,4K以下で電気抵抗と低磁場磁化データの低下はあるが,ゼロ抵抗や反磁性の兆候はない。Copyright 2013 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.
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分類 (3件):
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金属の結晶構造  ,  金属結晶の磁性  ,  金属結晶の電子構造 
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