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J-GLOBAL ID：201302261380060712   整理番号：13A1508144

CuInSe₂太陽電池における第一象限フォトトランジスタ挙動

First quadrant phototransistor behavior in CuInSe₂ photovoltaics

著者 (4件)： ROCKETT A. (Dep. of Materials Sci. and Engineering, Univ. of Illinois, 1304W. Green St., Urbana, IL 61801, USA) ,  VAN DUREN J.k.j. (Intermolecular Inc., 3011 North First Street, San Jose, CA 95134, USA) ,  PUDOV A. (Solexant Inc., 2385 Bering Dr., San Jose, CA 95131, USA) ,  SHAFARMAN W.n. (Inst. of Energy Conversion, Univ. of Delaware, Newark, DE 19716, USA)
資料名： Solar Energy Materials and Solar Cells  (Solar Energy Materials and Solar Cells)
巻： 118  ページ： 141-148  発行年： 2013年11月 
JST資料番号： D0513C  ISSN： 0927-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： CuInSe₂(CIS)太陽電池の温度依存電流電圧測定を詳細に記述し,解析した。比較的低温で,素子は,高い微分抵抗曲線領域の開始前の電流電圧曲線の第一象限における光束依存電流によって証明される,フォトトランジスタとしての動作を表すことが判明した。フォトトランジスタ挙動は,(前面接触材料CdSとZnOを刺激するような)短い波長の光に限定されず,様々な強度の光に同様の感度を持っている。素子動作の他の面を,光伝導性のシャントと直列微分抵抗成分の観察を含めて分析し,そのいずれもが,観察できる短波長光,光に鈍感なダイオード逆飽和電流,素子中の裏面ダイオードのキャラクタリゼーションを必要としなかった。有効裏面ダイオードの存在もまた,素子の開回路電圧を下げることができる様々な動作条件下でそのダイオードを横切って発展するバイアス電圧を必要とする,と論じた。素子のフォトトランジスタ挙動のより一層の比較研究を通して素子吸収体層中の少数キャリア特性のキャラクタリゼーションの可能性が注目される。Copyright 2013 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *セレン化インジウム銅 ,  *フォトトランジスタ ,  *太陽電池 ,  温度依存性 ,  電流電圧特性 ,  低温 ,  電気抵抗 ,  光束 ,  前面 ,  接点材料 ,  硫化カドミウム ,  酸化亜鉛 ,  放射強度 ,  感度 ,  光伝導 ,  電流 ,  ダイオード ,  裏面 ,  キャラクタリゼーション ,  電圧 ,  研究 ,  吸収体 ,  少数キャリア
準シソーラス用語： シャント抵抗 ,  バイアス電圧 ,  開回路電圧 ,  光感度 ,  直列抵抗 ,  比較研究 ,  微分抵抗 ,  飽和電流

分類 (3件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  太陽電池  (NC03084O) ,  光導電素子  (NC03083X)

タイトルに関連する用語 (3件)： 太陽電池 ,  フォトトランジスタ ,  挙動