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J-GLOBAL ID：201302261980249592   整理番号：13A0758771

部分的または完全に緩和したSiGeバッファ層の上にデポジットしたn型Siベース共鳴トンネリングダイオードの理論解析

Theoretical Analysis of n-Type Si-Based Resonant Tunneling Diodes Deposited on Either Partially or Fully Relaxed SiGe Buffer Layers

著者 (4件)： WU Kuan Y. (National Taiwan Univ., Taipei, TWN) ,  CHENG Hung H. (National Taiwan Univ., Taipei, TWN) ,  HUNG Kuan M. (National Kaohsiung Univ. Applied Sci., Kaohsiung, TWN) ,  SUN Greg (Univ. Massachusetts-Boston, MA, USA)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 60  号： 4  ページ： 1298-1301  発行年： 2013年04月 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 殆どのSiベース二重障壁ヘテロ構造(DBH)共鳴トンネルダイオード(RTD)はSiウエハ上のSiバッファ層上に作られている。最近はSiの代わりに完全緩和SiGeバッファ層が使われている。これらのRTDの解析によると,低温で得られる大きなピークツーバレイ比(PVR)が高温におけるエネルギー分布の熱拡がりのために温度上昇で急激に減少し,室温では極めて小さくなる。DBHでSiの量子井戸幅を狭め,一つだけのサブバンドが閉じ込められるようにして温度特性改善をすることを提案する。この方法によって,部分的に緩和されたSiGeバッファ層の上にデポジットした構造で適正なPVRを得ることが出来た。室温性能改善には,SiベースRTDをSi基板上の部分緩和SiGeバッファ層の上に成長すべきである。

シソーラス用語： 半導体材料 ,  トンネル効果 ,  *共鳴トンネル効果 ,  *トンネルダイオード ,  *バッファ層 ,  素子構造 ,  量子井戸 ,  バンド構造 ,  特性 ,  電流電圧特性
準シソーラス用語： *SiGe ,  サブバンド ,  トンネリング ,  ヘテロ構造 ,  温度特性 ,  共鳴トンネリング

分類 (1件)： ダイオード  (NC03050R)

タイトルに関連する用語 (8件)： 緩和 ,  SiGe ,  バッファ層 ,  デポジット ,  Si ,  共鳴トンネリング ,  ダイオード ,  理論解析